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イオンビーム加工装置 イオンビーム・ミリング加工(IBM)

イオンビーム・ミーリング加工(IBM)は数百eVから数十eVの運動エネルギーを持つAr+イオンなどの不活性ガスイオンを固体試料の表面に照射したときに、試料原子が固体表面から真空中に放出される、いわゆる「スパッタリング現象」を利用して固体表面を原子・分子の単位で除去する加工法です。
照射するイオン種(N、Ar、Kr、Xe、O2、SF6、CF4、Cl2、等)、照射エネルギーや電流、照射角度により加工速度が変わります。ダイアモンドの加工で1μ/h以上の加工速度が得られます。

   

 ターゲット         イオン
  Z 元素  He  Ne  Ar  Kr  Xe  N  N2   26 Fe   −  470  660 670 810 240 360   28 Ni   −  650  810 970 950 290 500   29 Cu   − 1000 1200 400 1600 670 840   42 Mo   −  360  730 790 1100  94 180   47 Ag   1200 1600 2400 3100 −  −  −   74 W    −  −  −  − −  95 120   79 Au   −  −  2300  − − − −   82 Pb   1800 −  3400  − −  −  −
  仕様

 加速電圧  : 1keV〜30keV  ビーム径  : 2mmφ  電流密度  : 2mA/cu〜  ワークデイスタンス : 100mm  ワーク寸法  :  ワーク自転  :  ワークチルト   :
イオンビームミリング加工
加工の原理
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イオンビームによるナノ加工 ミリング加工の原理


   低エネルギーのイオンを試料に照射すると、試料表面の原子がはじき飛ばされて試料は原子・分子の単位で削られます。イオンの種類、入射エネルギーや照射方向により加工スピードが変わります。
 ビーム精工のIBM装置はダイアモンドを3μm/hの切削能力を持っています。この加工スピードは今日世界の最高水準で、次世代の露光装置用レンズ加工に有力なツールです。


イオンビームを用いた微細加工
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