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真空ﾁｬﾝﾊﾞｰ 真空駆動

電子ﾋﾞｰﾑ装置 RHEED

ｲｵﾝﾋﾞｰﾑ装置 ｲｵﾝ源　ｼﾝｸﾛﾄﾛﾝ

成膜装置

高温炉

中性子発生管 地雷探査

接合・ﾛｰ付 膜付加工

			ｲｵﾝ源 1μsecﾊﾟﾙｽｲｵﾝ源 RFｲｵﾝ源　　金属ｲｵﾝ源
	ｲｵﾝ源		ﾍﾟｰｼﾞﾄｯﾌﾟに戻る

イオンビーム装置

各種イオン源・加速管の設計・製作をサポート致します。 イオン･電子軌道計算の受託サービスもお請けします。

	サドルフィールドイオン源　　　 1MV静電加速管 ｱﾙﾐﾅｾﾗﾐｯｸｽ製　　　　　　　　　　　　 イオンミリング装置　　　　　　　　.
	PIGイオン源　　　 　　　　 ディユオプラズマ･イオン源 　　　　　　　　　　　金属イオン源　　　　.

露光用ｲｵﾝﾐﾘｰﾝｸﾞ装置のエッチング速度

ｴｯﾁﾝｸﾞ速度(nm/s) Ar+ｲｵﾝ：0.6ｋeV（1mA/c�u) 　　試料 Al　　Si　　Ti　　Cr　　Cu　　W　　Pt　　Au 　　　　1.24　0.25　0.66　0.97　1.69　0.30　1.52　2.96

ﾋﾞｰﾑｴﾈﾙｷﾞｰ 　ﾋﾞｰﾑ電流　ﾋﾞｰﾑ径 　　　（ｋeV）　　　　（μA）　 　　（mm） 　　　　1.2　　　　　　　28　 　　　18.0 　　　　2.0　　　　　　　80　 　　　10.0 　　　　3.0　　　　　　 130　 　　 　5.0

			ｲｵﾝ源 1μsecﾊﾟﾙｽｲｵﾝ源 RFｲｵﾝ源　　金属ｲｵﾝ源
	PIG型　1μsecﾊﾟﾙｽ　ｲｵﾝ源		ﾍﾟｰｼﾞﾄｯﾌﾟに戻る

P　I　G　−　1　0　1　A　型

	長寿命/水素イオン電流1ｍA安定/パルス1μsecから連続可変/立上り時間100ｎsec
	―　特徴　―　　簡便で、多様な用途　1台でエッチ、スパッタ、P-CVDを実行します。 PIG101Aイオン源のモード切替で、イオンビームスパッタ+イオンビームエッチングの両方をおこなえる簡便で安定したイオン源です。 ―　実験装置として　―　　MEMSなど多彩な実験用イオン源 小さなチャンバーに組み込み、例えばMEMSの実験装置として使うことも可能で、PIG101Aイオン源を組み込んだ実験装置の設計製作いたします。 ―　急峻な立ち上がり特性を持つパルスｲｵﾝ源　―　　中性子発生管など 例えば、10μsecのパルス幅で3Aのイオン電流を得ることができます。 ビーム精工の1m2MeV加速管と組み合わせると、中性子発生管などの特異な装置となります。

―　構造と仕様　―　　 冷陰極PIGイオン源　PIG−01型　は石油探層用中性子発生管用イオン源として開発されたもので、 磁場方向にリング状アノードを配設することにより小型で簡易な構造となっており、熱陰極のイオン源に比べカソードの 寿命が長く、水素イオン1ｍAが安定して得られます。 　パルスモードでは1μsecからの連続可変となり100ｎsecの早い立上/立 下時間が。

		密閉型冷陰極PIGイオン源仕様 　　　　イオン源有効容積：　　3.5�t 　　　　最大磁束密度：　　　　0.1T 　　　　アノード駆動電力：　　+3ｋV×10ｍA（max） 　　　　雰囲気圧力：　　　　　0.1〜1Pa 　　　　チョッパー電圧：　　　3ｋV（max） 　　　　立上、立下：　　　　　100ｎsec 　　　　ベーキング温度：　　　≦300℃ 　　　　尖頭ビーム電流：　　　5ｍA（1μsec）
		正イオン・負イオンの加速電圧／電流特性試験

			ｲｵﾝ源 1μsecﾊﾟﾙｽｲｵﾝ源 RFｲｵﾝ源　　金属ｲｵﾝ源
	RFｲｵﾝ源　ｴﾈﾙｷﾞｰ均一		ﾍﾟｰｼﾞﾄｯﾌﾟに戻る

高　周　波　放　電　型　イ　オ　ン　源　　R　F　−　1　1　0　A

エネルギーが揃った収束性の良い状態 高周波放電型イオン源　RF−01型は小型加速器に搭載するためのイオン源でH、He、N2、Arガス等の 気体イオンをエネルギーが揃った収束性の良い状態で効率良く発生させることができます。特にイオ ンビーム引出しと収束機構がユニット化されています故、小型加速器への搭載ができます。 プロトン比が大きく、良好な状態 　RFイオン源の最大の特長はプロトン比が大きいことであり、RF-01型は分解・掃除が容易にできる設計となっています故、 常にプロトン比（H1+／H2+）を良好な状態で運転できます。本機はビーム径φ1ｍｍのH1+イオンで1ｍAの出力が得られます。

仕様 　　　　1.　イオン源仕様 　　　　　　プロトン：ビーム径1ｍｍで1ｍA 　　　　2.　RFオシレーター電源 　　　　　　周波数：13.56MHｚ（オプション：100MHｚ） 　　　　　　出力　：0〜300ｗ連続 　　　　　　マッチングボックス入力インピーダンス：50Ω 　　　　3.　プローブ電源：　出力　DC　0〜5ｋV、100ｍA 　　　　　　　　（オプション：パルス化） 　　　　4.　ソレノイド電源：DC20V、10A 　　　　5.　イオン加速電源：10ｋV、　5ｍA 　　　　6.　収束電源：　　　5ｋV、1ｍA　　　2台 　　　　7.　絶縁トランス：　入力200V、3ｋW

構成 　　本装置は高周波放電型イオン発生部ビーム引出しレンズ部及び 　　制御電源より構成されます。 　　　　　イオン発生部 　　　　　　　�@プローブ電極（放熱フィン付） 　　　　　　　�Aイオンボトル（パイレックス製） 　　　　　　　�Bカナール電極（アルミニューム製） 　　　　　　　�Cカナール・ギャップ（BN製） 　　　　　　　�DRFカプリング電極 　　　　　　　�Eソレノイドマグネット 　　　　　ビーム引出しレンズ部 　　　　　　　�F引出し電極 　　　　　　　�Gアインツェルレンズ電極 　　　　　　　�H絶縁リング：４ケ 　　　　　電源 　　　　　　　�IRFオシレーター電源 　　　　　　　�Jプローブ電源 　　　　　　　�Kソレノイド電源 　　　　　　　�Lイオン源電源絶縁トランス 　　　　　　　�Mイオン加速電源 　　　　　　　�Nレンズ電源 　　　　　　　�Oフォーカス電源

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金　属　イ　オ　ン　加　速　器

アルゴンガスによるサポートで各種金属の加速ができます。

	金属イオン加速器	金属イオン加速装置の電極配置図と結線図

	金属イオン加速装置と電極 　　　　　　　記　号　　　　　　名称 　　　　　　　　 VA　　　　　アノード電源 　　　　　　　　VEX　　　　 加速電源 　　　　　　　　VEZ　　　　 アインツェル 　　　　　　　　　　　　　　　レンズ電源 　　　　　　　　R1　　　　　放電安定化抵抗 　　　　　　　　R2　　　　　電源保護抵抗 　　　　　　　　R3　　　　　電源保護抵抗 　　　　　　　　R4　　　　　電圧分割抵抗 　　　　　　　　R5　　　　　電圧分割抵抗 　 　　ビーム特性 　　　　　核種　　　ビーム電流　　偏向角度　　ビームスポット 　　　　　Ni＋　　　　 8.0μA　　　　　　15°　　　　φ3ｍｍ 　　　　　Al＋　　　　 0.8μA　　　　　　15°　　　　φ3ｍｍ 　　　　　Cu＋　　　　0.7μA　　　　　　15°　　　　φ3ｍｍ
		電源

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