物性なんでもＱ＆Ａ

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番目の「物性なんでもＱ＆Ａ」訪問者です。
2008.01.02 Q&A#700-999をなんでもＱ＆ＡPart3としてインデックスから分離しました（リンク切れがあるかもしれません。)

最新のQ&A(#1000-)

Q&A(1)#1-#299

Q&A(2)#300-#699

Q&A(3)#700-#999

「50音順キーワード索引」

佐藤勝昭のプロフィール佐藤勝昭　（工学博士：応用物理学） 1966.4-1984.3 日本放送協会勤務　(1966 大阪放送局、1968 放送科学基礎研究所） 1984.4-1989.3 東京農工大学工学部電子工学科助教授 1989.4-2005.4 東京農工大学工学部物理システム工学科教授 2005.5-2007.4 東京農工大学理事・副学長（教育担当） 2007.5-　　　東京農工大学名誉教授・大学院工学府特任教授、 2007.5-　　　科学技術振興機構(JST)戦略的創造研究推進事業(さきがけ)研究総括 2008.4- 　　　(兼務)科学技術振興機構(JST)広報ポータル部研究広報主監
質問される方へ
このコーナーでは、佐藤勝昭のＨＰを見てメールで問い合わせがあった材料・物性関係のご質問への回答を紹介しています。このＱ＆Ａはボランティアワークですので下記の約束をお守り下さい。お答えできない場合がありますのであらかじめご了承下さい。　(1) 質問はE-mailで katsuaki.sato@nifty.comまで。　　　当面の間はsatokats@cc.tuat.ac.jpでもＯＫです。　　　ご質問にはメールでお答えし、その上で、編集してWebにアップします。　(2) ＨＰを見ての質問であることを明記して下さい。　(3) お名前、ご所属(学校の場合教員か研究者か学生か。学生の場合、学科、学年)を書いてください。　　所属・氏名が記載されていない質問にはお答えできません。（質問者のレベルに合わせて回答するためです。）　(4) Webにアップする場合に匿名を希望される場合は、その旨記入して下さい。　(5) このＱ＆Ａコーナへの質問と回答は、多くの方がシェアできるように原則として公開します。　　質問者はお金をかけないで情報を得ようとするのですから、それなりの覚悟が必要です。　(6) いったん掲載した項目を削除するよう要求される方があり困ります。企業の方、質問の前に、掲載された場合の危険性を考えてください。　(7) 最近、説明不足の質問があり、対応に苦慮します。（例えば、1027. 相変態について）状況を人にわかるように説明して質問してください。　(8) お答えできない場合があります。 (専門ちがいでお答え出来なかった例) 　(9) 最近は、大学には週１回しか行かないので、図書館のデータベースに閲覧に行く機会があまりありません。従って、ハンドブックなどのデータベースを調べるだけのご質問は、なるべくご遠慮下さい。

「物性なんでもQ&A」更新記録 (2008.06.21update)
アップした日付	質問項目	分類	質問者

2008.07.03	1099. MIM構造の容量ー電圧特性	電子物性	Ｋ大Ｋさん
2008.07.03	1098. 皮膜で固定したアルミ線の熱膨張と線膨張	熱物性	電機メーカーNさん
2008.06.14	1097. PN接合の拡散電位を電池として利用できるか	電子物性	Ａ社Ｋさん
2008.06.13	1096. 六方晶サファイヤの結晶面の名称	結晶工学	Ｓ社Yさん
2008.06.12	1095. ドーピングによってシリコンの色は変わるか	光物性	Ｓ大Ｕさん
2008.06.11	1094. スピン偏極の光学的測定について	磁気光学	Ｏ大Ｍさん
2008.06.21	1093C. 質問#1093へのコメント	化学	化学会社Ｓさん
2008.06.11	1093. 酸素気体透過率の小さい有機材料 (コメント参照）	化学	Ｎ社Ｍさん
2008.05.28	1092. カーボンナノチューブの磁気エネルギー	磁性	Ｋさん
2008.05.26	1091. アルミニウム容器での尿素の保存	化学	運送業Ａさん
2008.05.25	1090. 強誘電体光変調器	光物性	Ｎ高専Ｔさん
2008.05.23	1089. 光電子分光におけるコヒーレント部分とインコヒーレント部分	光物性	Ｔ大Ｋさん
2008.05.23	1088. サブバンド間プラズモン	光物性	Ｏ大Ｋさん
2008.05.20	1087. プラスチックの電波透過性	光物性	Ｋ社Ｙさん
2008.05.19	1086. (Ba_0.7Sr_0.3)TiO₃のヤング率、ポアソン比	機械的性質	Ｍ社Ｆさん
2008.05.10	1085. Ｎ－メチル－２－ピロリドン	化学	Ｐ社Ｙさん
2008.05.10	1084. Ｘ線の侵入深さについて	光物性	Ｆ社Ｋさん
2008.05.10	1083. ポラリトンの描像について	光物性	Ｏ大Ｏさん
2008.04.28	1082. 金ミラーの温度変化による変形	薄膜物性	Ｋ機関Ｋさん
2008.04.28	1080. ペロブスカイト型酸化物における物性変化の定性的説明	電子物性	Ｔ大Ｋさん
2008.04.27	1079. ソーラーパネルは発光するか	光デバイス	熊本県Ｋさん
2008.04.26	1078. 半導体の実験についての質問	電子デバイス	大学3年高橋さん
2008.04.26	1077. 圧力印加による磁化の変化と磁気特性の変化	磁性	Ｔ大Ｔさん
2008.04.26	1076. 空間電荷制限電流について	電子物性	Ｓ社Ｈさん
2008.04.26	1075. 分光分析における微分スペクトルについて	計測技術	Ｋ大Ｓさん
2008.04.26	1074. パイプコイルの加振試験	計測技術	Ｎ社Ｓさん
2008.04.23	1073. Fe-Al合金の結晶構造	結晶工学	熊本大邱さん
2008.04.20	1072. 酸化物焼結体の酸素の不定比性（酸素欠損）の定量	結晶工学	A社Bさん
2008.04.12	1071. 複合材料の比熱	熱物性	N社Uさん
2008.03.20	1070. Optical properties of stainless steel at the high temperature (高温におけるステンレスの光学的性質)	光物性	Ａ社Bissonさん
2008.03.20	1069. ナトリウムターシャルプトキサイドの物性	化学	Ｓ大平崎さん
2008.03.06	1068. 単元素金属の結晶構造の起源	金属物性	Ｔ大Ｋさん
2008.02.28	1067. 光学薄膜の反射	光物性	Ｋ大Ａさん
2008.02.24	1066. 電磁波とプラズモンの結合についての疑問	光物性	Ｍ社Ｏさん
2008.02.21	1065. 半導体の光学現象の量子力学	固体物理学	Ｍさん
2008.02.21	1064. チタン酸バリウム薄膜研究の意義	結晶工学	n大学Sさん
2008.02.21	1063. フラーレン(C60)単結晶のフォトルミネッセンス	光物性	＊大学院Sさん
2008.02.12	1062. ボルタは電池の出力をどうやって確認したか	電気化学	山口市佐伯さん
2008.02.12	1061. 窒化ガリウム(GaN)の抵抗率の基板による違い	結晶工学	Ｆ大Yさん
2008.02.12	1060. 光学薄膜の透過率	光学	Ｆ大Ｙさん
2008.02.12	1059. ラマン散乱による結晶歪みの評価	結晶工学	Ｏ大Ｋさん
2008.02.12	1058. ６６ナイロンの黄変	化学	Ｍ社大Ｓさん
2008.02.08	1057. 酸化タングステンの機械的性質	機械的性質	Ｏ大Ｋさん
2008.02.07	1056. エレクトロニクスの期末テストの解答が欲しい	電子回路	大和市在住浅野さん
2008.02.07	1055. 結晶SiとアモルファスSiの活性化エネルギー	電子物性	近畿大宮崎さん
2008.02.07	1054. ろう材の熱伝導率	熱物性	Ｈ社Ｔさん
2008.02.07	1053. 二次元正方格子における磁化率の温度変化	磁性	Ｙ大Ｋさん
2008.01.29	1052. ＩＴＯの仕事関数	電子物性	Ｙ大Ｙさん
2008.01.27	1051. 子ども科学教室の説明(紙おむつ、バネ電話、簡単モータ)	理科教育	Ａ工房Ｓさん
2008.01.27	1050. 酸化アルミによる酸化チタン光触媒作用の増強	光化学	Ｉ高校Ｉさん
2008.01.27	1049. 構造複屈折	光学	Ｋ社Ｍさん
2008.01.27	1048. 原子の電子準位の状態数	原子分子物理学	Ａ社Ｏさん
2008.01.25	1047. 金属中の電磁界の解析	電磁気学	Ｋ高専Ｍさん
2008.01.25	1046. 石英ガラスの緑色発光	光物性	Ｓ社Ｔさん
2008.01.23	1045. グラファイトとダイヤモンドの点欠陥の活性化エネルギー	欠陥物性	Ｋ大Ｙさん
2008.01.18	1044. テルル化ビスマスの屈折率と硬度	電子物性	Ｔ社小川さん
2008.01.18	1043. 銀接点に生じる硫化銀被膜について	電子物性	Ｔ社小川さん
2008.01.18	1042. 分極と光学遷移	光物性	Ｔ社Ｉさん
2008.01.16	1041. 運動量行列要素	光物性	Ｓ社Ｍさん
2008.01.11	1040. ヘリウムリークディテクターでのヘリウムの検出原理	真空工学	Ｎ社Ｏさん
2008.01.10	1039. アルミナのレーザー加工	光物性	Ｋ社Ｍさん
2008.01.06	1038. アルミニウム合金の物性値の温度依存性	金属工学	Ｋ大Ｉさん
2007.12.26	1037. 銅とアルミナ基板の接合	無機化学	Ｎ社Ｓさん
2007.12.22	1036. MgOをトンネル障壁に使うとTMRが増大する理由	磁性	Ｈ大Ｈさん
2007.12.19	1035. 「多元合金」の英訳	金属物性	Ｓ社Ｕさん
2007.12.19	1034. 形態の違うシリコンの物性値	半導体物性	Ｔ社Ａさん
2007.12.19	1033. 酸素プラズマ中の石英の帯電	プロセス	Ｆ社Ｓさん
2007.12.10	1032. イオン照射したCoCr膜のMsとTcの変化	磁性	Ｆ社Ｓさん
2007.12.05	1031. エリプソメトリで測定した磁性ガーネットの屈折率の磁界依存性	光物性	Ｔ社Ｓさん
2007.12.05	1030. ショットキーダイオードのI-V特性	エレクトロニクス	Ｏ大Ｔさん
2007.11.22	1029. サファイヤ板の複屈折	光物性	Ｋ大Ｉさん
2007.11.18	1028. 先端をしぼった電磁石からの磁場	電磁気学	Ｍ大Ａさん
2007.11.18	1027. 相変態について	熱物性	秋田県すがいさん
2007.11.14	1026. 太陽電池の理論的最大変換効率の導出法	光物性	Ｏ大Ｔさん
2007.11.12	1025. 強誘電体薄膜のキュリー温度	誘電体物性	Ｈ大Ｈさん
2007.11.10	1024. なぜPtの自由電子の散乱寿命は短いのか	光物性	Ｍ社Ｏさん
2007.11.07	1023. なぜ光伝導スペクトルを測定するのか	光物性	Ｏ大Ｔさん
2007.11.02	1022. GaAs, GaPのバンドギャップ	光物性	Ｏ大Ｔさん
2007.11.02	1021. セラミックスの発光	光物性	Ａ社Ｎさん
2007.11.02	1020. 半導体単結晶のゲージ率	半導体物性	Ｈ大Ｏさん
2007.11.02	1019. 磁気光学の測定系	磁気光学	東大嶋田さん
2007.10.31	1018. パワーMOSのGate容量の温度特性について	エレクトロニクス	Ｈ社Ｓさん
2007.10.26	1017. リンゴの色、金属の色	光物性	静岡県岡部さん
2007.10.25	1016. 鉄のバルクと薄膜の磁化の差異について	磁性	京大倉本さん
2007.10.25	1015. 金属と半導体の電気伝導の温度変化の主要因	固体物性	武蔵工大植村さん
2007.10.25	1014. ガラスエポキシの硬化則	機械的性質	Ｏ大Ｎさん
2007.10.21	1013. コイルを近づけたときの磁性粒子に働く力	電磁気学	Ｏ大Ｍさん
2007.10.11	1012. ギブスの相律	統計力学	名城大西脇さん
2007.10.11	1011. クロムモリブデン合金鋼SCM440の焼き戻し性能曲線	金属工学	Ｎ社Ｓさん
2007.10.11	1010. 間接遷移・直接遷移は何によって決まるのか	半導体物性	北大Ｋさん
2007.10.09	1009. 磁石にかかる力	電磁気学	Ｎ大Ｈさん
2007.10.05	1008. p型ゲルマニウムの仕事関数	半導体物性	Ｆ大Ｋさん
2007.10.05	1007. 磁性ガーネットの磁気光学スペクトルの光入射方向依存性	磁気光学	Ｔ社Ｓさん
2007.10.05	1006. 鉄-アルミの金属間化合物の物性値	金属工学	Ｔ社Ｔさん
2007.09.21	1005. 37℃の水に23℃の水入り小瓶を入れたときの温度	熱学	Ｓ社Ｋさん
2007.09.19	1004. Al-Cu合金鋳造の際の成分の偏り	金属工学	Ｓ社Ｓさん
2007.09.19	1003. シリコン研磨発生時の物質の処理	半導体プロセス	Ｅ社Ｏさん
2007.09.14	1002. 酸化チタンの伝導帯位置の決め方	電子物性	Ｔ大Sさん
2007.09.08	1001. ZnO透明導電膜について	電子物性	K大Sさん
2007.09.08	1000. 白色LEDについて	光物性	N大Hさん
2005.12-2007.9	Ｑ＆Ａ(3)#700-999
2002.12-2006.12	Ｑ＆Ａ(2)#300-699
2000-2002.12	Ｑ＆Ａ(1)#1-299

下表の質問の回答は、なんでもＱ＆Ａ（３）に移行しました。

2007.09.08	999. TiO2の磁気光学効果	磁気光学	Ｋ大Ｉさん
2007.08.30	998. トラップ存在下における空間電荷制限電流	電子物性	Ｄ大Ｍさん
2007.08.30	997. 波長1310nmにおけるSiの消衰係数の温度依存性	光物性	Ｈ大Ｆさん
2007.08.25	996. 傾けたガラス板の偏光性	光物性	Ｓ社Ｋさん
2007.08.23	995. 金属表面の反応性	表面物性	Ｄ社Ｍさん
2007.08.07	994. フォトダイオードの受光領域	光物性	Ｋ大Ａさん
2007.08.04	993. 人体からの赤外線を透過する材料	光物性	Ｔ大Ｋさん
2007.08.04	992. 物質の接着	界面化学	Ｆ社Ｓさん
2007.08.04	991. ガウスの定理における電荷分布	電磁気学	東理大社西田さん
2007.07.27	990. 窒化珪素,酸化珪素,バナジウムのビッカース硬度	機械特性	Ｔ社Ｋさん
2007.07.26	989. ニッケル,コバルト,鉄はなぜ磁石の材料になる	磁性	小６世古さん
2007.07.26	988. イオンミリングの運動エネルギー	プロセス	Ｔ社Ｋさん
2007.07.26	987. 無電解めっきNi-Pの磁性	金属物性	Ｆ社ＳＴさん
2007.07.26	986. 低温成膜Alの物性	金属物性	Ｆ社Ｓさん
2007.07.21	985. Ｘ線はなぜ人間の内部を通り抜けるか	電磁気学	Ｍ社Ｓさん
2007.07.21	984. 低温堆積と高温堆積のAl薄膜の物性の違い	金属物性	Ｆ社Ｓさん
2007.07.20	983. ダイヤモンドの応力誘起直接遷移	半導体物性	Ｔさん
2007.07.20	982. 金属薄膜の熱伝導率	熱物性	Ｓ社Ｋさん
2007.07.18	981. 金を高周波が透過する厚み	金属物性	Ｃ社Ｋさん
2007.07.18	980. ステンレスの酸化スケールの剥離と腐食	金属物性	Ｍ社Ｓさん
2007.07.14	979. 工具鋼SKD11の電気抵抗率と硬度	金属物性	Ｍ社Ｔさん
2007.07.10	978. γアルミナ((Al2O3)の硬度	機械的性質	Ｎ社Ｓさん
2007.06.27	977. アンモニウムの電気分解電圧	電気化学	Ｙ社Ｋさん
2007.06.23	976. 光伝導スイッチとストリップラインの静電容量	光物性	Ｍ社Ｉさん
2007.06.23	975. 石英ファイバーの赤外吸収特性	光物性	Ｆ社Ｋさん
2007.06.16	974. 異方性エッチング	半導体プロセス	Ｔ社Ｋさん
2007.06.16	973. 赤外線用光チョッパー	光物性	Ｎ社Ｍさん
2007.06.11	972. ダイヤモンド結晶の末端の価電子状態	結晶工学	Ｉ高校教諭ＹＦさん
2007.06.11	971. 半導体プロセスでの異物付着	半導体プロセス	Ｔ社Ｆさん
2007.06.10	970. LUMOが2.3eV以下、HOMOが6eV以上の有機ＥＬ材料	電気化学	Ｄ大Ｙさん
2007.06.08	969. LIF法によるZnOのPLD過程の解析	結晶成長学	Ｋ大Ｓさん
2007.06.07	968. ウェットスーツのコア素材の断熱性	繊維工学	Ｋ大Ｉさん
2007.06.07	967. Al合金薄膜の許容電流密度	金属工学	T社Tさん
2007.06.02	966. 半田の高さ	金属工学	Ｋ社Ｋさん
2007.06.02	965. エポキシの熱劣化の活性化エネルギー	化学	重電機メーカーYさん
2007.05.29	964. シリコン基板上の金属膜の加熱	光物性	Ｓ社Ｔさん
2007.05.29	963. 液晶中の光の伝搬の説明	光物性	Ｈ大Ｍさん
2007.05.26	962. 水の気化潜熱と融解潜熱	熱物性	北大大岡さん
2007.05.26	961. 赤外線とX線の透過性	光物性	盗撮で悩んでいる者さん
2007.05.26	960. 表面プラズモンとブリュースター条件	光物性	Ｃ大Ｍさん
2007.05.25	959. ポリ塩化アルミ溶液の比熱	有機材料	Ｄ社伊藤さん
2007.05.25	958. 金型と亜鉛メッキの凝着を防ぐには	金属工学	Ｍ社Ｙさん
2007.05.25	957. シリコンのランプ加熱	半導体プロセス	制御屋ＣＫさん
2007.05.24	956. エポキシの熱伝導率	熱物性	K社袖山さん
2007.05.22	955. ホッピング伝導とトンネル伝導	電子物性	東理大渡邊さん
2007.05.17	954. コバールの物性値	金属工学	貝沼さん
2007.05.16	953. 発電の原理	電磁気学	電気主任Ｓさん
2007.05.16	952. 圧電体の発熱	誘電体物性	Ｓ大Ｕさん
2007.05.15	951. ステンレスの反射率の温度変化	光物性	Ｓ大Ｕさん
2007.05.14	950. タンタルとPTFEの耐食性の比較	材料物性	D社佐藤さん
2007.05.13	949. フッ化アルミと酸化アルミについて	電子材料	Ｆ社Ｓさん
2007.05.13	948. 金及び銀に対する複素屈折率	光物性	Ａ社Ｓさん
2007.05.13	947. 線膨張係数の温度変化	熱物性	東北大遠藤さん
2007.05.12	946. 負の磁気抵抗効果	スピントロニクス	東工大Ｔさん
2007.05.12	945. アルミ合金の仕事関数	電子物性	Ｔ高専Ｆさん
2007.05.08	944. シリコンのランプ加熱	半導体プロセス	制御屋ＣＫさん
2007.04.23	943. 半絶縁性GaAsの電流電圧特性	電子物性	Ｍ社Ｉさん
2007.04.23	942. ポリスチレンの放射率	光物性	Ｔ工高Ｏさん
2007.04.17	941. ZnOにおける自由励起子発現の機構	光物性	電機大Sさん
2007.04.14	940. 金属の比抵抗の不純物濃度依存性	電子物性	R社Iさん
2007.04.14	939. Si基板への近赤外フィルタ膜の蒸着	成膜技術	A社Kさん
2007.04.10	938. 高配向性グラファイトの硬さ	機械的性質	Ｓ社井上さん
2007.04.10	937. 佐藤退官後「物性なんでもＱ＆Ａ」はどうなる？	一般	農工大大田さん
2007.03.30	936. ハンダの際に生じる金属間化合物の融点	金属物性	Ｎ社Ｋさん
2007.03.30	935. 酸化亜鉛(ZnO)のＡ励起子	光物性	東京電機大Ｋさん
2007.03.30	934. ラマン散乱の解釈	光物性	Ａ社Ｋさん
2007.03.30	933. テフロンの帯電	電磁気学	Ｎ社Ｓさん
2007.03.27	932. 「塩の結晶と不純物」へのコメント	結晶成長学	農工大松岡さん
2007.03.22	931. 塩の結晶と不純物	結晶成長学	塩製造会社松浦さん
2007.03.21	930. タングステンの複素屈折率	光物性	A社Sさん
2007.03.14	929. ＰＭＭＡへの金属薄膜の成膜について	成膜技術	G社Uさん
2007.03.01	928. 粉末試料の熱膨張係数	熱物性	Ｓ社Ｔさん
2007.03.01	927. 光の散乱と微粒子のサイズ	光物性	B社白鳥さん
2007.02.15	926. 金線へのハンダ付け	金属工学	マイコンクラブ川西さん
2007.02.14	925. 水の比熱の温度依存性	熱的性質	Ｓ社Ｏさん
2007.02.14	924. 制振メカニズム	機械的性質	Ｔ社Ｍさん
2007.02.14	923. SiO2の弾性	機械的性質	Ｍ大Ａさん
2007.02.13	922. レジンコンクリートの耐火温度	建築材料	九工大若林さん
2007.02.13	921. 金属内の光吸収	光物性	Ｔ社Ｋさん
2007.02.13	920. pnダイオードの抵抗制限電流領域	半導体物性	神奈川大遠藤さん
2007.02.13	919. フォトダイオードについて	光物性	Ｎ社Ｋさん
2007.02.06	918. 光と磁気第4章4.3についての質問	磁気光学	T大Yさん
2007.02.06	917. 鋼より線の引っ張り強度	金属工学	Ｄ大Ｓさん
2007.02.06	916. 光吸収とキャリア生成	光物性	Ｋ社Ｍさん
2007.02.06	915. 銀の340nmに見られる反射率の低下	光物性	特許事務所Ｏさん
2007.02.06	914. XPSのピークシフト	光物性	Ｎ大Ｋさん
2007.02.06	913. RFマグネトロンスパッタ装置のプラズマ温度	プラズマ物性	ＦセンターＩさん
2007.02.06	912. bulk thermal conductivityの日本語訳	熱物性	Ｋ社井上さん
2007.02.06	911. 深い不純物準位のある場合のアバランシェ現象	半導体物性	Ｔ大Ｓさん
2007.02.06	910. 原子拡散をメモリ等に利用できるか	統計物理学	アリゾナ州立大小谷さん
2007.02.06	909. ポーラス酸化亜鉛の発光	光物性	Ｎ大Ｋさん
2007.01.19	908. PMMAの吸光係数	光物性	Ｔ社後藤さん
2007.01.19	907. ラスティーボルトエフェクト	電波工学	Ｓ社Ｋさん
2007.01.19	906. 「#896 ポリウレタンの変色防止」へのコメント	化学	Ｄ社Ｓさん
2007.01.19	905. シリコンと石英ガラスの破壊靱性度	機械的性質	Ｋ大Ｍさん
2007.01.19	904. 太陽電池の低温特性	光物性	Ｓ社Ｎさん
2007.01.11	903. ラマン分光のベースライン	光物性	Ｓ社Ｈさん
2007.01.11	902. 量子ドットにおける光学遷移	光物性	T大Tさん
2007.01.11	901. 太陽電池作製に必要なシリコンの量	光エレクトロニクス	H高Tさん
2007.01.09	900. ストークスパラメータS3の符号	光学	Ｋ社Ｍさん
2007.01.09	899. プラスチックの比透磁率	磁性	会社員上村さん
2007.01.04	898. ステンレスの低温特性	金属工学	Ｋ社Ｈさん
2007.01.04	897. 屈折率測定の誤差	光学	Ｍさん
2007.01.04	896. ポリウレタンの変色防止(コメント参照	化学	Sさん
2007.01.04	895. 金属加工時の磁化	磁性	O社竹崎さん
2006.12.22	894. GaNの放射率	光物性	Ｗ社Ｍさん
2006.12.22	893. 遠赤外線の放射率	光物性	井上理恵さん
2006.12.22	892. サファイア単結晶のX線回折	結晶工学	Ｍ社Ｍさん
2006.12.18	891. 塩化ビニールの色移り	化学	Ｋ社広部さん
2006.12.18	890. 琺瑯ステンレス	金属工学	Ｏ社神崎さん
2006.12.18	889. 木粉と樹脂の複合材の処分法	林産学	Ｍ社Ｍさん
2006.12.18	888. 光の散乱と回折	光物性	ＩＴコンサルタント村上さん
2006.12.18	887. アクリルの熱膨張係数	熱物性	九工大若林さん
2006.12.18	886. 石英の蛍光について	光物性	Ｔ社Ｍさん
2006.12.18	885. MOSのC-V特性におけるヒステリシス	半導体工学	Ｓ大Ｋさん
2006.12.18	884. セナルモン法の数式による説明	光物性	Ｋ大Ｈさん
2006.12.08	883. ぬれた砂が黒いわけ	光物性	長崎大長野さん
2006.12.08	882. Siの誘電関数について	光物性	Ｔ社Ｍさん
2006.12.08	881. 液化二酸化炭素の粘度	流体物性	Ｄ社倉地さん
2006.12.04	880. ZnO薄膜の応用性	結晶工学	京大村中さん
2006.11.30	879. スイッチ部材へのステンレスの導入	金属工学	Ｋ社Ｏさん
2006.11.30	878. モスアイ（蛾の眼）構造による反射防止	光物性	Ｓ社Ｋさん
2006.11.28	877. 水晶の剪断弾性係数	機械的性質	Ｃ社Ｈさん
2006.11.28	876. 熱電効果の論文の式の意味	熱物性	Ｋ大Ｋさん
2006.11.21	875. 18-8ステンレスの食品安全性	食品安全学	Ｓさん
2006.11.21	874. ベーテ・スレータ曲線について	磁性	Ｆ社Ｙさん
2006.11.21	873. 蒸着における母材と金属の密着メカニズム	薄膜工学	Ｏ社Ｔさん
2006.11.21	872. 相図の見方	結晶工学	Ｓ社斎藤さん
2006.11.21	871. ｐｎ接合の光電流	光物性	東工大照井さん
2006.11.21	870. 近赤外線の路面反射	光物性	Ｎ大Ｓさん
2006.11.21	869. 温度勾配のある導体の電位差	熱物性	Ｍ大Ｋさん
2006.11.21	868. 磁性材料の相転移	磁性	Ｏ大Ｔさん
2006.11.21	867. 熱サイクルによるハンダの物性変化	金属工学	Ｏ大Ｎさん
2006.11.21	866. 熱交換器伝熱面積	熱工学	Ｎ社Ｔさん
2006.11.09	865. 弾性係数測定の誤差	機械的性質	Ｆ大学Ｋさん
2006.11.09	864. 白色で近赤外吸収のある酸化物	光物性	岐阜大杉浦さん
2006.11.01	863. 塩化ビニールのヤング率とポワソン比	機械的性質	Ｓ社本田さん
2006.11.01	862. 光学的異方性フィルムの屈折率測定	光物性	Ｎ大Ｏさん
2006.11.01	861. 酸化チタンのバンドギャップ決定法	光物性	Ｏ大Ｈさん
2006.10.25	860. 微粒子の消磁効果	磁性	Ｔ大Ｗさん
2006.10.25	859. シリコンの純度	結晶工学	Ｓ社Ｏさん
2006.10.25	858. ランダム偏光から円偏光	光学	S社S
2006.10.16	857. 細線に大きな電流を流すと切れるわけ	電気工学	中央大西岡さん
2006.10.13	856. シャボン玉の物理	物理学一般	理系高校生松井さん
2006.10.12	855. 熱伝導と誘電率	熱物性	Ｈ大学Ｔさん
2006.10.12	854. シリコンゴムの耐腐蝕性	化学	Sさん
2006.10.10	853. 拡散反射の偏光性	光物性	Ｔ大Ｙさん
2006.10.10	852. 光と磁気（改訂版第1刷）第4章の誤植訂正	磁気光学	Ｔ大Ｙさん
2006.10.10	851. 半導体への励起光の侵入長	光物性	P社Iさん
2006.10.10	850. TiCの格子定数	結晶工学	I大Sさん
2006.10.10	849. フタロシアニンの昇華温度	化学	I高専Tさん
2006.10.10	848. 弾性定数の数値計算	機械物性	H大Fさん
2006.10.10	847. アルミニウムの熱伝導率測定	熱物性	Y大Hさん
2006.10.10	846. MOD成膜したPMNZTの表面モルホロジー	結晶工学	H大Hさん
2006.10.10	845. 中炭素鋼の熱膨張係数	熱物性	Y社金田さん
2006.10.10	844. 入射角によるアルミニウムの反射率の変化	光物性	Ｓ社Ｔさん
2006.10.10	843. フォノン閉じ込めモデルによるラマン散乱スペクトル	光物性	Ｎ大学Ｅさん
2006.10.10	842. Q179「炭素のマイクロ波加熱」への質問	電磁気学	Ｈ社Ｏさん
2006.10.10	841. CdTeの電析について	電気化学	K大学Aさん
2006.09.20	840. 活性炭素繊維の光導電性は測定できるか	光物性	K大学Mさん
2006.09.06	839. ストロンチウムフェライトの物性値	磁性	Ｔ社Ｔさん
2006.09.04	838. アクリルの熱伝導率	熱物性	Ｃ社坂巻さん
2006.09.04	837. 真空蒸着の最適蒸着速度	真空工学	Ｄ大学Ｓさん
2006.09.04	836. スパッタ装置の電源の極性	真空工学	猪俣さん
2006.08.31	835. 磁気異方性物質に旋光性が発現する理由について	磁気光学	T社Ｈさん
2006.08.31	834. アモルファスシリコンpinダイオードにおける大電流でのI-V特性	半導体デバイス	Ｇ社上山さん
2006.08.31	833. 負分散ミラー	光物性	Ａ社Ｈさん
2006.08.18	832. プラズマポテンシャルとセルフバイアス	イオン工学	R社Sさん
2006.08.17	831. 線材の長さの見積もり方	数学基礎	Ｅ社中川さん
2006.08.17	830. ステンレスSUS316の熱膨張	熱物性	Ｅ社中川さん
2006.08.17	829. パンチスルー現象	電子工学	日大荻原さん
2006.08.11	828. アルミニウム酸化被膜の耐食性	化学	Ｓ社Ｎさん
2006.08.11	827. 真空中での水の凝固	物性一般	Ｄ社Ｔさん
2006.08.11	826. 半導体中の空間電荷制限電流の温度依存性	固体物性	Ｔ大Ｓさん
2006.08.11	825. Fe磁石の導電性、コイル内の磁束の不均一性	電磁気学	Ｍ社Ｔさん
2006.08.11	824. DVD-RAM記録層はAFMで観察できるか	結晶工学	Ｓ社Ｙさん
2006.08.04	823. Crのプラズマ周波数	光物性	Ａ社Ｈさん
2006.08.03	822. ボルタ電池でなぜ電子が移動するのか	電磁気学	Ｒ社Ｔさん
2006.08.01	821. アルミ鋳造合金のポワソン比	金属物性	Ｍ社Ｋさん
2006.07.31	820. 表面プラズモンの分散式	光物性	Ｗ大Ｓさん
2006.07.31	819. マイクロ波領域の半波長板	電磁気学	Ｍ社Ｓさん
2006.07.31	818. DVD-RAM材料の結晶工学	光物性	S社Yさん
2006.07.31	817. 金属探針への電場変調による電磁波発生	電磁気学	Ｔ大Ａさん
2006.07.31	816. 残留応力付与による金属通過センサ出力の変化	電磁気学	T社Ｆさん
2006.07.24	815. コイルの磁束漏れの計算法	電磁気学	電機メーカーＴさん
2006.07.24	814. ステンレスはなぜ磁石につかないか	磁性	Ｉ社Ｋさん
2006.07.11	813. 金属の水素吸蔵メカニズム	化学	半導体メーカSさん
2006.07.05	812. アロットプロットについて	磁性	Ｏ大Ｔさん
2006.07.05	811. 窒化珪素の合成法	化学	Ｋ大Ｍさん
2006.07.05	810. 誘電体の絶縁性	誘電体物性	Ｔ社Ｍさん
2006.07.05	809. 標準白色板を参照試料とした分光反射率測定	光物性	Ｎ大Ｈさん
2006.07.03	807. トランジスタの電流増幅の仕組み	電子工学	Ｆ大学Ｈさん
2006.06.30	806. MnSi1.7の格子定数の決定法	結晶工学	Ｋ大学Ｎさん
2006.06.29	805. メチルジフェニルイソシアネート合成のための反応器の材質	化学	Ｈ大学Ｈさん
2006.06.29	804. アルミ線と銅フレームとのボンディング	金属工学	Ｈ社Ｗさん
2006.06.26	803. アルミ板上でのネオジム磁石の運動	電磁気学	Ｋ大学Ｎさん
2006.06.22	802. 豆電球の非線形性	金属物性	東京工科大Ａさん
2006.06.23	801C. nandemoQ&APart3.html#801へのコメント	熱物性	化学会社Sさん
2006.06.21	801. シリコーンオイルのＤＳＣ曲線の解釈(コメント参照)	熱物性	大阪工大岡島さん
2006.06.20	800. 金のX線吸収端	Ｘ線物理	姫路工大藤井さん
2006.06.20	799. 原子吸光分析装置のデータのばらつき	計測	化学品メーカIさん
2006.06.19	798. アモルファス太陽電池のpin構造	半導体物性	H大Oさん
2006.06.16	797. 金属の複素屈折率	光物性	大阪工大林さん
2006.06.16	796. フェライトガーネットについて	磁性	Ｔ大Ｔさん
2006.06.15	795. 太陽電池材料に関する質問	半導体物性	H大Oさん
2006.06.14	794. 塩化ビニールの弾性係数	機械的性質	Ｔ社田中さん
2006.06.14	793. 豚レバーの赤外分光特性	光物性	原子力施設赤津さん
2006.06.14	792. 干渉縞とスペクトル幅	光物性	Ｋ大学Ｙさん
2006.05.27	791. 金属で可視光が透過する厚み	光物性	N大Mさん
2006.05.27	790. ガラスの磁気複屈折	光物性	Kさん
2006.05.27	789. LSC を用いた試料測定の際の減衰率	放射線計測	C大Hさん
2006.05.27	788. Aｌ薄膜の応力緩和速度	金属工学	H社Oさん
2006.05.27	787. 光触媒について	化学	K大Wさん
2006.05.27	786. Niメッキの酸化	化学	S社Nさん
2006.05.17	785. 電気泳動法によるコロイド結晶の作製	化学	K高専Yさん
2006.05.15	784. ２光子吸収の減衰率	光物性	U大Tさん
2006.05.11	783. 熱伝導性のよいポリエステル糸	有機材料	DSさん
2006.05.10	782. NiOの誘電率	誘電性	N社Mさん
2006.05.10	781. 真空蒸着中の真空度低下	結晶工学	愛工大溝尻さん
2006.05.08	780. ITOの熱処理と着色	光物性	阪大斎藤さん
2006.05.08	779. アルミニウムの線膨張係数	熱物性	宇都宮大伊藤さん
2006.05.08	778. 重ね合わせの理が非線形回路では成立しない理由	電気回路	F大Hさん
2006.05.08	777. 3dx2-y2、3dz2軌道の名前の由来	物性基礎	K大Oさん
2006.04.26	776. ステンレス材SUS404の物性値	金属工学	O社Mさん
2006.04.26	775. 太陽光のコヒーレンス長	光学	M社Yさん
2006.04.20	774. 水中の電波伝搬	電磁気学	Ｓ社Ｔさん
2006.04.07	773. 金属材料のマイクロ波焼結	結晶工学	H社Oさん
2006.04.07	772. 窒化珪素の硬度	機械物性	K大Kさん
2006.04.07	771. アルミの電気特性の面積による違い	計測	N社Nさん
2006.04.07	770. 鋼材の硬度測定	金属物性	K社Nさん
2006.04.07	769. なんでもQ&A#676.薄膜の多重干渉の式の修正	光物性	マクセル萬様
2006.03.31	768. フラットパネルディスプレイと無機材料	光デバイス	Y社Mさん
2006.03.30	767. 電源電圧の作り方によるトランス出力の違い	電気回路	佐藤さん
2006.03.17	766. レーザ高調波のスペクトル幅	光物性	S大Sさん
2006.03.17	765. チタンの複素屈折率	光物性	A社Sさん
2006.03.11	764. 削除
2006.03.11	763. 準定常電流近似と変位電流	電磁気学	Ｃ社Ｎさん
2006.03.11	762. 異方性・吸収性媒質に入射した際の、異常光線の吸収係数	光学	Ｏ大Ｋさん
2006.03.11	761. 金属の熱処理による物性変化	金属工学	田原金属、田原さん
2006.03.11	760. アルミニウム棒加工後の変形	金属物性	F社Nさん
2006.03.11	759. アルミニウムの見分け方	金属物性	K社Kさん
2006.03.11	758. 薄層クロマトグラフについて	化学	D社Sさん
2006.03.11	757. GaAlNの電子親和力	半導体物性	法政大佐藤さん
2006.02.20	756. 分光光度計用石英セル	光物性	D社Sさん
2006.02.20	755. フロロシリコンの耐溶剤性	化学	東京システム開発中村さん
2006.02.20	754. 束縛励起子を束縛する力	光物性	Ｎ大学Ｅさん
2006.02.16	753. BaFe12-2xCoxTixO19の磁気物性	磁気物性	I大学Wさん
2006.02.16	752. 色素増感太陽電池の対極の役割	光物性	D大学Nさん
2006.02.16	751. アモルファス半導体のキャリア濃度	半導体物性	R大学Tさん
2006.02.06	750. 金より高い標準電極電位をもつ金属	電気化学	バブルタンク社藤里さん
2006.02.06	749. 有機ELとプラズモン	光物性	K大Nさん
2006.02.06	748. 強磁性体のヤング率Ｅの低下（⊿Ｅ効果）	磁性	弘前大Hさん
2006.02.02	747. GaNのヤング率	半導体物性	P社Tさん
2006.02.02	746. Geの非放物線パラメータ	半導体物性	神戸大サムコンさん
2006.02.02	745. 空気中に放置したアルミニウム塊の温度	熱物性	N社Yさん
2006.02.01	744. モリブデンの光学定数	光物性	神戸大Tさん
2006.02.01	743. 塩化ビニールの比透磁率	磁気物性	T社井上さん
2006.01.31	742. クラマースクローニヒ解析	光物性	大産大柏木
2006.01.31	741. 屈折率分散、粗表面を伴う多重干渉	光物性	H社Mさん
2006.01.31	740. 誘電泳動現象	誘電物性	東工大伊藤さん
2006.01.30	739. 溶解度ギャップと臨界温度	結晶成長学	K大Kさん
2006.01.30	738. BaTiO3多結晶の比誘電率	誘電物性	Y大Tさん
2006.01.30	737. HoFeO3の相転移温度	磁気物性	Ｋ大Ｏさん
2006.01.30	736. 溶接影響部の靱性	金属工学	Ｈ社Ｍさん
2006.01.25	735. 光弾性定数の単位	光物性	T社Yさん
2006.01.25	734. PZTのエッチャント	プロセス	Ｍ社Ａさん
2006.01.24	733. シェラーの式について	結晶学	奈良先端大高橋さん
2006.01.24	732. 電磁シールドにゴムは使えるか	電磁気学	自営業立岡さん
2006.01.24	731. In2O3の誘電率	セラミクス	K大Kさん
2006.01.23	730. 屈折率から干渉縞を求めるには	光物性	N大Wさん
2006.01.23	729. P形半導体のショットキーダイオード	半導体デバイス	H社Oん
2006.01.18	728. 金属の種類とショットキー接合	電子物性	A高専Oさん
2006.01.18	727. 「物性」とは	一般	翻訳者Mさん
2006.01.18	726. ステンレス材SUS321溶接後の磁化	金属物性	K社Mさん
2006.01.18	725. 酸化亜鉛[ZnO]の光化学反応成長のための基板について	結晶成長	N大Hさん
2006.01.17	724. 完全導体と超伝導のちがい	超伝導	O大Mさん
2006.01.17	723. ITO電極の導電率,誘電率,透磁率	光物性	K大Hさん
2006.01.17	722. 亜鉛置換フェライトと亜鉛が混入しないフェライトとの磁束密度の差異	磁性	N短大Oさん
2006.01.17	721. 水、氷、雪の誘電率	誘電特性	笠井さん
2006.01.16	720.放射線によるオーステナイト体積率測定	金属工学	I大Iさん
2006.01.13	719. 誘電正接の大きな素材	誘電体	Y大学Kさん
2006.01.13	718. 蛍光波長の励起波長依存性	光物性	Ｄ大Ｋさん
2006.01.13	717. 高い誘電率の金属素材	電磁気学	Ｏ社Ｋさん
2006.01.11	716. 鉄、アルミ、銅の複素屈折率	光物性	A社Ｓさん
2006.01.10	715. 水滴接触角の表面モルフォロジー依存性	流体物性	京大六門さん
2006.01.10	714. 屈折率による水晶の厚み測定	光学	D社Nさん
2006.01.10	713. 鉛フリーハンダのヤング率	金属工学	学芸大李さん
2006.01.10	712. Ta2O3のヤング率	セラミクス	N大Tさん
2006.01.07	711. 半波長板について	光学	S大学Sさん
2006.01.07	710. シリコンの屈折率と消光係数	光物性	Ａ社Ｓさん
2006.01.06	709. なぜZnOはn型で、NiOはp型か	半導体物性	R大Sさん
2006.01.05	708. 吸光度測定のための至適濃度	光物性	城西大渋谷さん
2006.01.05	707. 無酸素銅の機械的特性	金属物性	Y社Tさん
2005.12.26	706. 物性値のナノ領域への適用限界	材料物性	会社員Ｍさん
2005.12.26	705. ニッケルの降伏応力	金属物性	Ｋ大Ｋさん
2005.12.22	704. 銀の固相接合	金属物性	Ｏ社Ｉさん
2005.12.22	703. 軟Ｘ線と硬Ｘ線のちがい	Ｘ線	Ｈ大学Ｉさん
2005.12.22	702. ステンレス鋼の焼け	金属物性	半導体製造装置メーカＫさん
2005.12.22	701. 密閉したプラスチック容器の空気圧による変形	物性基礎	N社Kさん
2005.12.19	700. 液体ヘリウム温度における銅の抵抗率	金属物性	名大山口さん

1000. 白色LEDについて

Date: 2007/09/05 9:34
Q: 佐藤先生、突然のメール失礼いたします。
先生のホームページを拝見させていただきました。どうか、質問よろしくお願いいたします。

現在、N＊＊大学３年生のＨ＊＊と申します。
Web上にアップする際は、匿名でお願いいたします。
白色LEDについて勉強してます。
現在は、青色LEDに黄色蛍光体をかぶせる形で、白色光を得ているのが主流と分かりました。
さらに勉強を進めましたら、以下の2点の問題により、青色LEDではなく紫外光LEDを元として、
白色LEDを作成したいように（研究者の方々は）思ってるようなのです。

①青色発光のパワーを強めることは難しい。
②460nm（青色）で、効率的に励起する適当な蛍光体はなかなかない。

なぜ、青色では、①、②のような状態になるのでしょうか？
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Date: 2007/09/07 10:36
A: H君、佐藤勝昭です。
　①青色のパワーは十分あると思います。ただ、青色を使って、黄色を励起するので、青と黄色のパワー分配のバランスがむずかしいということがあるのではないでしょうか。紫外線でRGB蛍光体を別々に励起すればパワーの分配がやりやすいと思います。
　②蛍光体としてはいろいろのものがありますが、主として希土類系が使われますが、ちょうど470nm付近に励起帯をもつものは、少ないということです。紫外励起なら色んな蛍光体が使えます。
　③紫外でRGB三色を励起する方が演色性がよいというのが開発の主目的です。
--------------------------------------------------------------------------------------
Date: 2007/09/09 19:28
AA: 佐藤先生、お早いお返事ありがとうございました！！
現在、自分なりに勉強はしているのですが、まだまだ知識量が足りない状態です。
したがって、きちんとした質問を行うことができない状態のように思いました。
また、質問が出てきましたら、メールさせていただいてもよろしいでしょうか？是非とも、よろしくお願いいたします！
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Date: 2007/09/10 10:08
Q2: Hです。

自分なりに勉強しまして、また分からないところが出てきました。現在、うちの大学の授業で、半導体の授業を履修しているのですが、この授業をしていただいてる教授にも質問に行ったのですが、よく分からない、という回答でした。

質問① 現在、白色ＬＥＤと緑色蛍光体に関する英語論文を読んでいます。
SrAl2O4:Eu2+ (2価のEuをドープしたアルミン酸ストロンチウム)という緑色蛍光体を用いて、InGaN UV-LED の上に乗せ、紫外励起の緑色ＬＥＤを作製するという論文です。
ここで疑問なのは、なぜ、２価の Euなのに、緑色（下図516nm前後）なのか？ということです。
２価のEuの最低励起状態と基底状態のエネルギー差は、430nm前後と思います。うちの先生にも伺ったのですが、分からない、という回答でした。
以下の図の、516nmがEu2+、614nmがEu3+の影響と書いてありました。
Fig.5

質問②
SrAl2O4:Eu2+　粉末の励起-発光スペクトル図が以下です。
Fig.3 この緑色蛍光体粉末を、エポキシ樹脂で、熱硬化させて緑色ＬＥＤを作製しています。そして、その緑色ＬＥＤの発光スペクトルが質問①にもあります以下の図です。
Fig.5 疑問点は、なぜ粉末状のときは、614nmの赤色が発光せず、緑色ＬＥＤにしたら発光するのでしょうか？
エポキシ樹脂で120℃で熱硬化（これも疑問です。InGaN UV-LEDを120℃の高温にさらして壊れないのか？、と不思議です。）
したことが原因なのでしょうか？と言いますのは、粉末作製の際に、還元環境下（Eu3+より不安定なEu2+ を多く残すために）で作製されています。それを高温状態にするということは、酸化され、Eu3+が増えたから、ということなのでしょうか？と考えているのですが、正しいのでしょうか？

質問③ また、この論文では、完成した緑色ＬＥＤの発光スペクトル図（質問①の Fig.5）より、結論として、
「　All the characteristics indicate that SrAl2O4:Eu2+ is a good candidate phosphor that can be applied in white LEDs.　」
と書かれてます。しかし、この図から、何がどう良い候補の蛍光体（good candidate phosphor）なのか分からないのです。自分なりに考えるには、InGaN UV-LED は市販されていると思いますし、よって比較的強力な紫外光を出すのではないか？と思います。よって、上図を見ますと、その強いとされるInGaN UV-LEDの発光強度と同じくらいの緑色発光を出しているように思えます。516nm前後と397nm前後を積分したら、圧倒的に516nm 前後の積分量が上まっているように思えます。したがって、この緑色ＬＥＤの発光効率は緑色ＬＥＤとして使用するには、十分に期待が持てる、ということなのかな？と考えています。この考えで正しいのでしょうか？
（添付ファイル：Z.C.Wu et al., Materials Letters 60 (2006) 3499-3501）
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Date: 2007/09/11 1:43
A2: Ｈ君、佐藤勝昭です。
　論文を読みました。
　この論文は、電子系の学部３年生にはちょっと難しいかもしれませんね。
　① ２価のEuの励起状態が430nm（青）というのは、出典はなんでしょうか？ f-f遷移を考えておられるのでしょうか？f-d遷移（正確には4f65d1→4f7遷移)を考えた場合には、配位子が何であるかによって、赤、緑、青のいろんな遷移を示します。4f電子状態は原子核に強く束縛され結合の影響を受けないのですが、5d 電子状態は配位子のp電子状態と結合して結晶場分裂を受けているため、f-f遷移の第１励起状態よりかなり低エネルギーに励起状態を作ります。EuSではEu2+のf -d遷移は赤の発光を示しますし、SrS:Eu2+では緑の発光を示します。私は、以前、SrGa2S4:Eu2+単結晶を作ったことがありますが、f-d遷移による美しい緑色発光を示しました。SrAl2O4でもSrのサイトをEuが置換すると励起状態は緑色に来ると思います。
　② Fig.3の粉末のPLスペクトルは、ジョバン・イボンの蛍光分光装置で測定したものです。(b)は励起波長が365nm、(c)は励起波長が397nmの単色光源で励起したときのPLスペクトルです。一方、Fig.5はUV-InGaN LEDを励起光源としたときのスペクトルです。LEDのスペクトルは決して単色光源ではありません。色々の波長が含まれています。Eu3+の4f6状態の吸収帯(7F0→5D3遷移)は408nm付近にあり、LEDの397nmのピークの裾にかかっているので、5D3状態が励起され、5D0状態に緩和し、5D0→7F2の発光(614nm)を起こすのだろうと思います。熱硬化樹脂による影響ではないでしょう。
　③　これまでの黄色と青を合成した白色LEDでは緑の成分が少ないため、この白色光源で照らすと緑がくすんで見えるという演色性の悪さが問題でしたから、この緑色蛍光体を黄色蛍光体とともに利用すれば演色性が改善されるので、good candidate phosphor that can be applied in white LED's (白色LEDに応用することができるよい候補)と書いたのでしょう。
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Date: 2007/09/12 12:13
AA: Ｈです。
先生ありがとうございました。
自分は、この論文翻訳するのに、1週間くらいかかったのですが、先生は、こんなにすぐに理解してしまわれるのですね・・・
本当に尊敬します。
貴重なお時間を割いていただきまして、本当にありがとうございました。
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1001. ZnO透明導電膜について

1002. 酸化チタンの伝導帯位置の決め方

1003. シリコン研磨発生時の物質の処理

1004. Al-Cu合金鋳造の際の成分の偏り

Date: 2007/9/18 8:44
Q: 佐藤先生
はじめまして、㈱Ｓ＊＊＊のＳ＊と申します。（匿名希望）
弊社は鋳造業を営んでおります。
先日、疑問があったので材料学の本やWEBで調べてる最中に先生のHPを拝見させて頂きました。
もしよろしければ回答を御願い致します。

合金鋳物を鋳造する時に、成分が偏る理由が知りたいのです。
例えば、Al-CuでCuが10%の時に製品を鋳造すると、鋳物のある部分では5%で違う部分では15%になったりする事が多々あります。
ちなみに、母材はメーカーの保証付きのAl-Cu90-10のインゴット合金です。
テストピースは問題なく90-10です。
Al-Mg系でマグネが飛ぶ時とは異なるようです。
御教え願えれば幸いです。よろしく御願い致します。
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Date: 2007/09/19 1:37
A: Ｓ様、佐藤勝昭です。

クリックすると拡大します

　私は、金属工学の専門家ではありませんので、正しくお答えできるかどうかわかりませんが、一応私の知識の範囲でお答えします。
添付図はAl-Cuの合金状態図（いわゆる相図）です。
（http://tptc.iit.edu/Center/research/PhaseDiagram/Content/result/Al-Ni-Cu%20system/Al-Cu.gif による）
加工用Al-Cu合金の場合、Cu組成が少ないので、合金状態図のα相の状態を保つことが出来ますが、鋳造用Al-Cu合金は、Cu含有量が多いので、出発融液の温度によってはα相を保てず、共晶組成の合金が固化することになるのではないかと存じます。
例えば、90-10合金を700℃で融解し徐冷したとしますと、液相線に達したところで、α相のAl(Cuをわずかに含む)を析出しながら、液相線に沿って降下し共晶点に達します。共晶点から急冷すると Cu18%のAl-Cuが得られます。もし、共晶点から徐冷すると、α相と θ相（Cu33%の金属間化合物）が析出します。

合金状態図とにらめっこしながらよく考えてみてください。

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Date: 2007/09/19 9:21
AA: 佐藤先生
御多忙の中、早速の御返事、ありがとうございました。
おっしゃる通り、状態図を見て、考えてみます。
ありがとうございました。
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1005. 37℃の水に23℃の水入り小瓶を入れたときの温度

1006. 鉄-アルミの金属間化合物の物性値

1007. 磁性ガーネットの磁気光学スペクトルの光入射方向依存性

1008. p型ゲルマニウムの仕事関数

1009. 磁石にかかる力

1010. 間接遷移・直接遷移は何によって決まるのか

Date: 2007/10/10 8:54
Q: 東京農工大学　佐藤勝昭先生

突然のメールながら失礼します。
北海道大学博士課程３年　Ｋ＊と申します。
（web公開時は名前のみ匿名でお願いします）

物性Q&Aをいつも拝見させていただいております。
この度はかねてからの疑問がどうにも解けないため、先生のご助言を頂けないかと思い、メール致しました。
お忙しいところ大変恐縮ですが、どうぞ宜しくお願いします。

質問は、
「間接遷移になるか直接遷移になるか、それは何によって決まるのか」
というものです。

私が勉強してきた一般的な半導体物性の本では、クローニッヒペニーモデルによってエネルギーギャップの出現、E-k分散関係を求める手続きが説明されています。
E-k分散関係を得る基礎的な過程は理解しているつもりですが、実際の半導体において、伝導帯下端がΓ点にくるかどうか、そしてこれが何によって決まるのか、ここまで結びつけた理解ができません。

また、これに関して調べていたところ、以下の記述を見つけました。
（Siが間接遷移であることを説明する一文です）
http://mole.te.chiba-u.jp/（研究内容　→　半導体物語）

電気伝導に使うのは、シグマ結合の結合性軌道と反結合性軌道ですから、
価電子帯と伝導帯の形がかなり違います。そのため、光子を直接つくるのは難しいのです。

これについても、次のような疑問を持ちました。
Siはsp3混成軌道を形成し、それぞれの原子の結合は、シグマ結合によるものかと思います。
しかし、GaAsといった直接遷移の半導体も、Si同様にsp3混成軌道を形成し、原子同士は結局Siと同じような結合をしているのではないかと思います。
これを基に考えると、GaAsも間接遷移になってしまうのでは、と思いました。

以上、質問をまとめますと、伝導帯下端がΓ点に来るかどうかは、定性的にどのように決定されるのか。ということになります。

２つの質問を含むようになってしまい申し訳ありませんが、長い間すっきりとした理解が出来ずにいる問題です。
どうか先生のご助言を頂けたらと思います。
宜しくお願いします。
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Date: 2007/10/11 0:47

A: Ｋ君、佐藤勝昭です。
　GaPとGaAsは同じ閃亜鉛鉱構造をもつIII-V族半導体です。
GaPはEg=2.261eVの間接遷移型、GaAsはEg=1.424eVの直接遷移型です。
両者をx:1-xの割合で混ぜ合わせた固溶体GaAs1-xPxのEgは添付図(b) のように組成によって変化します。x<0.45では直接遷移型、x>0.45 では間接遷移型の半導体になります。
（図は、佐藤勝昭編著：応用物性（オーム社）第3章よりコピー）
　図(a)を見ればわかるように、Γ谷とX谷の相対的な位置関係で、直接→間接の変化があるのです。どちらが低くなるかは、単純には説明できません。バンド計算をして初めてわかるものです。
　AsとPのイオン半径の違いや電子親和力の違いなどが原因と考えられますがいろいろの原因が重なっているため特定できないと思います。
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Date: 2007/10/11 8:37
AA: 東京農工大学
佐藤勝昭先生

おはようございます。
先日Q&Aに質問をさせて頂いた北海道大学のＫです。
佐藤先生、早急な回答ありがとうございます。

添付図を使った非常に分かりやすい回答を有難うございます。
GaAsではΓ谷が最下部ですが、リン組成を高くするに従い、X谷が最下点になることが見て取れます。
この連続的変化からも予想されるように、やはり単純な説明という訳にはいかないんですね。
何らかの定性的な理解を得たいと、ここに固執しすぎました。

この度は大変お忙しいところ回答を頂き、有難うございました。
今後も物性Q&Aを拝見させていただき、勉強していきたいと思います。
有難うございました。
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1011. クロムモリブデン合金鋼SCM440の焼き戻し性能曲線

1012. ギブスの相律

1013. コイルを近づけたときの磁性粒子に働く力

1014. ガラスエポキシの硬化則

1015. 金属と半導体の電気伝導の温度変化の主要因

1016. 鉄のバルクと薄膜の磁化の差異について

1017. リンゴの色、金属の色

Date: 2007/10/26 9:17
Q: はじめまして、静岡県で物理学の勉強をしている岡部佑機です。
疑問に思うことがありましてインターネットを検索していたところ先生のホームページにあたりました。
そこで、光の反射・吸収・透過のことについて、いくつか質問させていただきたいのですがよろしいでしょうか。
御多忙中とは存じますがよろしくお願いします。以下に質問を書かせていただきます。

①白色光がリンゴにあたる。リンゴは赤くみえる。これは、リンゴが赤色以外の光を吸収し、赤色の光を反射するからだと思います。
ここで、選択反射は何に依存するのか。
また、何が光を吸収するのですか。（電子が吸収し励起されて熱エネルギーになるのですか。）
何が光を反射するのですか。（電子が吸収し、再放出するのですか。）
反射・吸収のメカニズムを教えてください。

②金属が金属光沢を生じる理由は何ですか。（リンゴは光沢がありません。自由電子が光を反射しているのか。）

③可視光線・電波は、ガラスに対する透過率が大きく、金属に対する透過率は小さいですが、これは、結合の違いによる原子密度が原因なのでしょうか。
透過とはどのようなメカニズムで起きている現象なのでしょうか。

よろしくお願いいたします。
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Date: 2007/10/26
A: 岡部佑機様、佐藤勝昭です。
　岡部様のご年齢、学業経歴、職業キャリア等がわかりませんので、一通り物理学を学んだことのある年配の方という想定でお答えします。理解するには、多少、固体物理学の知識が必要です。

（１）リンゴの赤色は、選択反射によるものではありません。物性なんでもQ&A 質問No.85にありますように、「リンゴの皮には、アントシアン系の色素が含まれています。これは、美しい花の花びらや紅葉する葉に含まれている色素です。酸と結合すると赤く発色します。この色素を透過し、散乱されて出てきた光は、波長600nm-700nmの波長の光が多く含まれています。」
　アントシアニンの光吸収スペクトル（永田雅輝他：植物環境工学　18 [1] 42-49 (2006)）によれば、吸収帯が450-580nmにあって、橙、緑、青、紫を吸収するため、その補色である赤が透過するのです。
坂田健他：アントシアニジンの構造と電子状態に関する量子化学的研究：分子科学会、分子構造総合討論会2005、講演番号1P079
によりますと、アントシアニン色素は３つの６員環をもち、理論計算の結果、 HOMO（highest occupied molecular orbital:半導体の価電子帯に相当) から LUMO(lowest unoccupied molecular orbital:半導体の伝導帯に相当）への１電子励起が主成分であるとしています。いわば、バンド間遷移なのですね。

（２）金属の金属光沢の原因は、自由電子の集団運動（プラズマ振動）によって入射した光の電界が遮蔽され、中に入れないことによります。詳細は、金属の色の物理的起源をお読み下さい。

（３）金属においては、自由電子のプラズマ振動によるほか、フェルミ面の下の満ちた電子状態からフェルミ面の上の空いた電子状態への遷移による吸収が可視域に連続的に分布しているために、光が透過しないのです。一方、ガラスをはじめとする誘電体では、価電子帯と伝導帯の間に明確なバンドギャップが開いているため、バンドギャップ以下の光子エネルギーをもった電磁波ではバンド間遷移が起きないので吸収がないのです。
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Date: 2007/10/27 10:20
Q2: 私の年齢は24歳です。今年高等学校の教員になったものです。
物理学に関してそれほど詳しいわけではありません。
御回答ありがとうございます。
（１）リンゴの赤は、白色光の反射ではなく、リンゴそのものが発しているのですか？
以下に自分なりの解釈を書いてみました。正しいでしょうか。
リンゴが赤いのは、色素が酸と結合したときに放出されたエネルギー（電磁波）のうち、波長450-580nmの橙、緑、青、紫がアントシアニンに吸収され、波長600nm-700nmの赤が透過されるためである。
]ただ、暗いところ（白色光なし）では赤く見えないような気がするのですが。発色しているならみえるはずでは？

（２）金属中に電磁波による電場が進入すると自由電子が力を受け、電気分極がおき、逆向きの電場を生じ金属内部の電場は０となり（振動数が小さい電磁波の場合）電磁波が金属内部に進入しないのと同じことになる。ここまではわかったつもりです。
しかし、金属内部に進入しないこと＝反射することであることが納得に苦しみます。電磁波は進入しているけれども実際は進入していないのと同じであるだけで、それが反射につながるのはどうしてでしょうか？無知で申し訳ありません。

（３）「金属においては、フェルミ面の下の満ちた電子状態からフェルミ面の上の空いた電子状態間のエネルギー差が可視光線領域に連続的に分布しているため、光の吸収が起こり、透過しない。このほかに、プラズマ振動による反射の影響もあるが。しかし、ガラスなどの誘電体は、価電子帯と伝導帯の間に明確なバンドギャップが存在するため可視光領域程度のエネルギーではバンド間遷移がおきないため吸収されず透過する。」ということでよろしいでしょうか？
そうすると、紫外線やX線などの高いエネルギーを持った電磁波は、ガラスなどの誘電体に吸収されるのでしょうか？また、金属に対してどのように作用するのでしょうか？

お忙しいところ誠に申し訳ありません。
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Date: 2007/10/27 12:24
A2: 岡部様、佐藤勝昭です。
　メールありがとう。高校の先生なのですね。前回の回答は説明不足だったようなので補足します。
（１）リンゴが赤色発光していることは全くありません。
　物体を白色光で照らしたとき、光が物体から帰ってくるのは、反射とは限りません。むしろ散乱のほうが一般的です。白い紙は実は無色透明な材料から出来ていて、その材料自身の鏡面反射率は４％そこそこです。紙が白いのは、微細な材料の粒に光が入って裏面で全反射してきたり、粒を透過したのち、他の粒の界面で散乱されたりして、様々な方位に向けて光が散乱されるためです。
　赤い絵の具でも、同じことです。一例として、バーミリオン（朱赤）という絵の具を取り上げますと、しんしゃ（硫化水銀HgS）が色素として使われています。この物質は半導体で、バンドギャップは2eVで、これ以下の光子エネルギーの光を透過するので透過光は赤です。HgSの反射率は赤だけが特に高いわけでは決して高くありません。バーミリオンでは、HgSの微粒子が有機物で練り合わされていて、有機物の中に微粒子が多数浮かんでいる構造です。入射した白色光は HgS粒子を透過し赤以外の波長の光が透過します。裏面に達したとき、もし裏面に対する入射角が臨界角を超えていると全反射しますし、そうでなければ裏面から抜け出します。そして、別のHgS粒子の表面で反射され、更に反射されたり、透過したりして、外に出てきます。このとき、光の方向はランダムになってしまいます。リンゴの皮の赤も同じです。入射した白色光の内、赤い色のみが散乱してくるのです。

（２）「金属内部に進入しないこと＝反射することであることが納得に苦しみます。電磁波は進入しているけれども実際は進入していないのと同じであるだけで、それが反射につながるのはどうしてでしょうか？」というご質問ですが、これは電波工学におけるインピーダンス整合の考えと同じです。あなたが、内部インピーダンス50Ωのアンテナに、回路インピーダンス50Ωの同軸ケーブルを接続すればアンテナで受けた電磁波はそのままテレビ受像器に導かれますが、もし300Ω のフィーダー線をつなげば、インピーダンス不整合のため反射がおきゴースト像になるでしょう。電磁波が送られてきて、表面で侵入が出来なければ、表面で吸収されない限り、反射するしかないではないですか。
　理論的には、前回紹介した「金属の色の物理的起源」に書いてあるとおり、金属内部に電磁波が侵入できない状態は、負の誘電率で説明されます。電磁気学によれば、誘電率εの物質に空気中から光が垂直入射したときの光強度の反射率R は、R=|(ε^1/2－1)/(ε^1/2＋1)|^2で表されますが、εが負の実数とするとR=1となります。すなわち100%反射するのです。

（３）あなたの解釈はその通りです。通常のガラスは紫外線を吸収します。石英ガラスはバンドギャップが大きいのでかなり短い波長の紫外線でも透過します。 X線領域になると、光の領域とは別の考えが必要です。X線領域になると、閉殻の電子状態からの遷移が関与します。この遷移が始まるエネルギーをX線吸収端と言います。鉛ガラスを用いると通常のX線は吸収されますが、普通のアルカリガラスはX線を透過します。
金属は紫外線を吸収しますが、X線についてはX線吸収端以下のエネルギーのものについては透過します。
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Date: 2007/11/01 14:32
Q3: 返事が遅くなってしまい申し訳ありません。ありがとうございました。
ガラスを熱すると色づいて見えるのは、熱することによって伝導帯への遷移が可視光領域のエネルギーでも可能になるからということですね。
また、質問させていただくことがあると思うのですがよろしいでしょうか。
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Date: 2007/11/01 15:22
A3: 岡部様、佐藤勝昭です。
　ガラスを熱すると色づくのは、黒体輻射によるものです。星の色が高温ほど青いというのと同じです。バンド間遷移は関係していません。
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Date: 2007/11/07 10:50
AA: そうでした。ありがとうございます。またお邪魔させていただくことがあるかと思いますが、どうぞよろしくお願いいたします。
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1018. パワーMOSのGate容量の温度特性について

1019. 磁気光学の測定系

Date: 2007/10/31 14:43
Q: 佐藤勝昭先生

東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻D3の嶋田と申します。
物性なんでもQ&AのWebサイトは事あるごとに大変参考にさせていただいております。

さて、透過配置での磁気光学の測定系を新たに組み立てることになり、ミラーで組むのとレンズで組むのとで、どのような違いがあるのかお伺いしたくメールにて質問させていただきました。

測定したい波長領域は250～850nmで光源ランプを分光器で分光した後、透過配置の光学系を経て光電子増倍管で検出します。
磁場は出力磁場方向に穴(直径5mm)が開いた電磁石で印加します。
（想定している光学系の模式図を添付させていただきました。）

凹面ミラーで組んだ場合と、凸レンズで組んだ場合とでは下記の有利不利のトレードオフになっているものと考えられます。

ミラーの場合
【利点】
色収差がない
【欠点】
偏光子、PEMに斜入射
スポットサイズ大きい（磁石の穴を通れない）

レンズの場合
【利点】
偏光子、PEMに垂直入射
スポットサイズ小さい（磁石の穴を通れる）
【欠点】
色収差がある

広い波長領域で色収差を消すにはミラーで光学系を組めばよいと思われますが、この場合偏光子やPEMには斜入射となってしまいます。
また、偏光が乱れるため、PEMの後にミラーを入れられないので結局、焦点距離の長いミラーでサンプルに光を絞ることになり、サンプル上でのスポットサイズが大きくなってしま�