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Ri‐40	Ri-40 SOLID STATE PHONO AMP
	概要 KOSS porta Pro購入を記念し??ダイナミックヘッドフォン用EQアンプを製作しました。 製作目標は 手持ちの部品で製作する。 高S/N。 ハイゲイン。 ヘッドルームの確保。 小型、低消費。 ハイスピード。 今回はスピーカーよりはるかに高い分解能のヘッドフォンをターゲットにしているので、 低コストでも満足できる雑音特性を目指しました。 構成 本機は電源部と増幅部に大別されます。 電源部 ACは両切スイッチを経た後、高インダクタンスチョーク2段の ラインフィルターで研がれてトランスに入ります。 小さく込み入っているが、一応 UL、電取準処。 トランスはジャンクながら、ダブルボビン、温度ヒューズを捲込んだ 比較的新しいデザインのものでトランス単体でも雷撃、異常負荷に対して 十分高い信頼性があると見こんでいます。 梅田のエフェクター小僧の集まる楽器店のジャンクコーナーで購入しました。 ＭＣ用としてはGAINが低いので、発展型として超低雑音トランジスタでＭＣ用 ＥＱアンプをRi-60を製作しています。 増幅部 2種類の基板を製作しました。 増幅基板その1 OPアンプ使用NF型【中島】 基板の右半分が三菱トラッキング電源ＩＣ M5230Lによる低雑音電源。 左半分にOPアンプによるNF型ＥＱ、OPアンプはデュアル型をソケットで差し替えて 使用できる。 デュアルの半分はDCサーボの雑音特性の実験ためにDCサーボ回路を実装して見ました。 性能及び一般諸元（ＮＪＭ4580ＤＤ実装時） 型式名称 Ｒｉ-40 A003（A) PWB-ＡＥＡ12【中島】 構成 ＮＦ型フォノイコライザ ＤＣサーボ 周波数特性 未計測 利得 34.1[dB] 雑音歪率（THD+N) 0.015[%] （1ＫＨｚ、Ｖｉｎ＝2.5[mV]） 雑音電圧、Ｓ/Ｎ 30[μＶ]（ＪＩＳ-A、rs=50[Ω]） S/N=72.4[dB] RIAA偏差 ±0.5[dB] 増幅基板その２ ＦＥＴ使用ＣＲ型【機械頭】 オーディオ華し頃開発された古のFETを昔製作したイコライザーアンプから抜いて使用しました。 ハイゲイン、低雑音、ダイナミックレンジの確保を主目的にシミレーションにより回路を決定。 雑音については、初段の熱雑音の理論値がrs=50Ωにおいて、15.6μV（出力換算値） なので、次段、出力段、ハムを含めた雑音値が19μVとトランス同居型としてはまずまずの成績でした。 回路の詳細はこちら 性能及び一般諸元 型式名称 Ｒｉ-40 A003（B) PWB-ＡＥＡ10【機械頭】 構成 ＣＲ型フォノイコライザ 無帰還 周波数特性 16〜210K[Hz]（シュミレーション計算値) 利得 46.16/46.45[dB]（R/Ｌ） 雑音歪率（THD+N) 0.2[%] （1ＫＨｚ、Ｖｉｎ＝2.5[mV]） 雑音電圧、Ｓ/Ｎ 19[μＶ]（ＪＩＳ-A、rs=50[Ω]） S/N=88.3[dB] 52[μＶ]（ＪＩＳ-A、rs=1K[Ω]） S/N=79.6[dB] RIAA偏差 ±0.4[dB] 最大出力電圧 6.4[Ｖ]（100,1K[HZ]）、2.4[V]（10K[Hz])

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