PC2100 (2133MB/s) CL2 と PC2700 (2666MB/s) CL2.5 の差!
バスの帯域 (バス幅 64-bit, ベースクロック) を基準とした表記
やキャスレイテンシー (CL=2, 2.5) に戸惑うかも知れませんが、
ネットバースト系のプロセッサで 4回連続アクセスした時のデータ
転送スピードの有意差をそのまま体感できるとは考えにくいです。
168-pin DIMM や 184-pin RIMM なども使った事はありますが、
今のところは、200-pin SO-DIMM が一番 扱い易いような気が
しています･･･ 小さいし 2枚ずつ増設する必要もありません ^^;


 
SDR SDRAM-S.O.DIMM   144-pin
 
PC100
SDR
100.0MHz*1*8B =  800MB/s
(T=10ns)
 
PC133
SDR
133.3MHz*1*8B = 1066MB/s
(T= 7.5ns)
 


 
DDR SDRAM-S.O.DIMM   200-pin
 
PC2100
DDR 266
133.3MHz*2*8B = 2133MB/s
(T= 7.5ns)
 
PC2700
DDR 333
166.6MHz*2*8B = 2666MB/s
(T= 6ns)
 
PC3200
DDR 400
200.0MHz*2*8B = 3200MB/s
(T= 5ns)
 


 
DDR2 SDRAM-S.O.DIMM  200-pin
 
PC4200
DDR2-533
266.6MHz*2*8B = 4266MB/s
(T= 3.75ns)
 
PC5300
DDR2-667
333.3MHz*2*8B = 5333MB/s
(T= 3ns)
 
PC6400
DDR2-800
400.0MHz*2*8B = 6400MB/s
(T= 2.5ns)

        CASレイテンシー から 32バイトアクセス までのイメージ  (DataSheetを見た訳ではないのでだいたいです) 
	各レイテンシーによる遅れを加味したら 必ずしも劇的に速くなるとは限らないのですが、「PC」以降の数字が
	大きい程最大転送速度は速いと云えます。

	  ※ レイテンシーは tCAS (CASレイテンシー) , tRCD (RAS to CASディレイ) , tRP(RASプリチャージタイム) 表記が
	     一般的 (3-3-3 は それそれ 3クロックの意味) ですが、CASレイテンシーを単独で表記する場合も多いようです。
	     ( cf. 925X／915Pの実力を再検証する―Part.2 	       cf. 対応情報|TOSHIBA(東芝) )

	DDR SDRAM-S.O.DIMM  200-pin 
	 PC 2100  (DDR266)   : DN266-A512MZ 
	 PC 2700  (DDR333)   : DN333-A512MZ 

	DDR2 SDRAM-S.O.DIMM  200-pin 
	 PC2- 4200 (DDR2-533)  : D2/N533-1G(X2) 
	 PC2- 5300 (DDR2-667)  : D2/N667-1G(X2) 
	 PC2- 6400 (DDR2-800)  : D2/N800-1G(X2) 

	DDR3 SDRAM-S.O.DIMM  204-pin 
	 PC3- 8500 (DDR3-1066) : D3N1066-1G(X2) 
	 PC3-10600 (DDR3-1333) : D3N1333-1G(X2) 

	S.O.DIMM (BUFFALO ノートPC/スリムデスクトップ用)