2000.12.17より

CMP：chemical mechanical planarization


化学物理研磨(chemical mechanical planarization)の略。今日のLSI製造工程においては、絶対平坦性が必要とされるために、1990年代以降に採用された。銅膜、絶縁膜、などの平坦化などに広く用いられている。



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