Ｈｏｍｅ　＞　ＤＣアンプパーツのページへ

往年のＤＣアンプパーツ（パワー・ＦＥＴ）

　　

金田式ＤＣアンプなどオーディオ製作や各種電子工作で使われる部品のデータ集です。

掲載の各規格や内容につきましては、記載内容に記載ミスなどの間違いがありえますので、各メーカーの資料を優先して下さい。
コメントに関しましては、全くの根拠がなく勝手な想像の部分が多々ありますので、不適な部分がありましたらご指摘願えれば幸いです。
こちらに掲載のデータをご使用になる場合は自己責任でお願いします。また間違いに気づかれましたら、お知らせ頂ければ幸いです。
掲載している写真の著作権は放棄していません。無断転載・無断使用は禁止します。

　　

ＳＯＮＹ　Ｖ－ＦＥＴ　「２ＳＪ１８／２ＳＫ６０」

70年代に3極管特性を持つオーディオ専用デバイスとして現れた素子でしたが、使い方が難しかったのか寿命は長くはありませんでした。
金田式DCアンプ初期のころは何度か登場しているようですが、その後、「音楽には不向きな素子」と記されています。
2SJ49/2SK134のように､GOAとかでドライブすれば、また評価が変わったかも知れませんね！
78年のMJ誌の広告を見ると、当時ペアで3,000～3,300円で販売されています。ちなみにNECの2SJ20/2SK70は１ペア3,800～4,000円です。

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 2SJ18/2SK60 単位
ｹﾞｰﾄ･ﾄﾞﾚｲﾝ間電圧 Vdgo -170/170 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vsgo -30/30 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id -5/5 A
ｹﾞｰﾄ電流 Ig -0.5/0.5 A
許容電力損失 Pt 63/63 W
接合部温度 Tj 120/120 ℃
保存温度 Tstg -50～+150 ℃


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SJ18/2SK60 単位
最小 標準 最大
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｹﾞｰﾄ間もれ電流 Idgo Vdg=100v,Is=0 0.1 100 μA
ｹﾞｰﾄ遮断電流 Isgo Vgs=30v,Id=0 0.1 100 μA
オン電圧 Von Ig=0.2A,Id=3A,t=100ms ﾊﾟﾙｽ測定 10 V
カットオフ電圧 Vd Vds=60V,Id=100mA -7.5 -18 -25 V
入力容量 Ciss Vds=-15V,Vds=0V,f=1MHz 190 pF
遮断周波数 ft Vds=20V,Id=0.5A 20 MHz
電圧増幅率 μ Vds=20V,Id=1A,f=1KHz 4
出力抵抗 rd Vds=20V,Id=1A,f=1KHz 2.5 16 Ω


日立　Power-MOSFET「2SJ48/2SK133」「2SJ49/2SK134」「2SJ50/2SK135」

金田式では№26でMOS-FETの音を確かめるため当時の最高のAB180Wと対抗するように作成されたが、「今まで聞き慣れた生の音楽や再生音とは全く異質の物である。音に独特の個性があり、堅い冷たい響きが、全ての音につきまとう・・・・。 そのため全般的に演奏がつまらなく聞こえ、退屈になり、それでいて耳ざわりな個性音が後をひく・・・・。これはまぎれもないMOS-FETの音なのだろう。」と、かわいそうすぎるほどの悲惨な記述の連続。 その後№99でも｢音も特性も絶望的｣･｢音楽には不向きな素子｣と記されていますが、その後№122のAll-FETプリアンプで真空管DCアンプの雰囲気感とTr式DCアンプの分解能を兼ね備えたプリアンプが完成し、そして№125で「FETの特徴を活かすにはFETとTrを混在してはならないFETだけでアンプを構成しなければならない。」 と15年ぶりに再登場し、その後GOAから対称型までUHC-MOSが採用されるまで、主役に返り咲いています。78年のMJ誌の広告を見ると、当時ペアで3,600～3,800円しています。

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 2SJ48/
2SK133		 2SJ49/
2SK134		 2SJ50/
2SK135		 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdsx -120/120 -140/140 -160/160 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±14 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id -7/7 A
逆ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Idr -7/7 A
許容ﾁｬﾈﾙ損失 Pch 100 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SJ**/2SK13* 単位
最小 標準 最大
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ破壊電圧
2SJ48/2SK133		 V(br)dsx Id=-10/10mA,
　　Vgs=10/-10v		 -120/120 V
〃
2SJ49/2SK134		 -140/140 V
〃
2SJ50/2SK135		 -160/160 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)gss Ig=±100μA,Vgs=0 ±14 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ遮断電圧 Vgs(off) Id=-100/100mA
Vds=-10/10V		 -0.15/0.15 -1.45/1.45 V
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ飽和電圧 Vds(sat) Id=-7/7A,Vgd=0
ﾊﾟﾙｽ測定		 -12/12 V
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ |Yfs| Id=-3/3A,Vds=-10/10V
ﾊﾟﾙｽ測定		 0.7 1.0 1.4 S
入力容量 Ciss Vgs=5/-5V,Vds=-10/10V
f=1MHz		 900/600 pF
出力容量 Coss 400/350 pF
帰還容量 Crss 40/10 pF
ﾀｰﾝ･ｵﾝ時間 ton Vdd=-20/20V,Id=4A 230/180 ns
ﾀｰﾝ･ｵﾌ時間 toff 110/60 ns


右記は登録前のHS8401A(2SK135)/HS8402A(2SJ50)

2SK134/2SJ49のモールドパッケージ版が下記の2SK1056/2SJ160ですが、すでにこれもディスコンで改良型が2SK2221/2SJ352として出ているようです。
また「2SK134/2SJ49シリーズ」はオークションにも出品されますが、中には丁寧に発泡スチロールに挿してある写真を見受けますが、この石はMOS型ですよ！

RENESAS(日立) Power-MOSFET ｢2SJ160/2SK1056｣～｢2SJ162/2SK1058｣

｢2SJ48/2SK133｣～｢2SJ50/2SK135｣のモールドパッケージ版です。

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 2SJ160/
2SK1056		 2SJ161/
2SK1057		 2SJ162/
2SK1058		 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdsx -120/120 -140/140 -160/160 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±15 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id -7/7 A
逆ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Idr -7/7 A
許容ﾁｬﾈﾙ損失 Pch 100 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SJ16*/2SK105* 単位
最小 標準 最大
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ破壊電圧
2SJ160/2SK1056		 V(br)dsx Id=-10/10mA,
　　Vgs=10/-10v		 -120/120 V
〃
2SJ161/2SK1057		 -140/140 V
〃
2SJ162/2SK1058		 -160/160 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)gss Ig=±100μA,Vds=0 ±15 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ遮断電圧 Vgs(off) Id=-100/100mA
Vds=-10/10V		 -0.15/0.15 -1.45/1.45 V
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ飽和電圧 Vds(sat) Id=-7/7A,Vgd=0
ﾊﾟﾙｽ測定		 -12/12 V
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ |Yfs| Id=-3/3A,Vds=-10/10V
ﾊﾟﾙｽ測定		 0.7 1.0 1.4 S
入力容量 Ciss Vgs=5/-5V,Vds=-10/10V
f=1MHz		 900/600 pF
出力容量 Coss 400/350 pF
帰還容量 Crss 40/10 pF
ﾀｰﾝ･ｵﾝ時間 ton Vdd=-20/20V,Id=4A 230/180 ns
ﾀｰﾝ･ｵﾌ時間 toff 110/60 ns


RENESAS(日立) Power-MOSFET ｢2SJ351/2SK2220｣～｢2SJ352/2SK2221｣

｢2SJ160/2SK1056｣～｢2SJ162/2SK1058｣の改良型とのことですが。

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 2SJ351/
2SK2220		 2SJ352/
2SK2221		 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdsx -180/180 -200/200 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id -8/8 A
逆ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Idr -8/8 A
許容ﾁｬﾈﾙ損失 Pch 100 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SJ35*/2SK222* 単位
最小 標準 最大
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ破壊電圧
2SJ351/2SK2220		 V(br)dsx Id=-10/10mA,
　　Vgs=10/-10v		 -180/180 V
〃
2SJ352/2SK2221		 -200/200 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)gss Ig=±100μA,Vgs=0 ±20 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ遮断電圧 Vgs(off) Id=-100/100mA
Vds=-10/10V		 -0.15/0.15 -1.45/1.45 V
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ飽和電圧 Vds(sat) Id=-8/8A,Vgd=0
ﾊﾟﾙｽ測定		 -12/12 V
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ |Yfs| Id=-3/3A,Vds=-10/10V
ﾊﾟﾙｽ測定		 0.7 1.0 1.4 S
入力容量 Ciss Vgs=5/-5V,Vds=-10/10V
f=1MHz		 800/600 pF
出力容量 Coss 1000/800 pF
帰還容量 Crss 18/8 pF
ﾀｰﾝ･ｵﾝ時間 ton Vdd=-20/20V,Id=4A 320/250 ns
ﾀｰﾝ･ｵﾌ時間 toff 120/90 ns


日立　ＭＯＳＦＥＴ　「２ＳＫ１２９７」

デンオン（現在のデノン）のアンプに使用され話題になっていたUHC-MOSが、DCアンプシリーズではMJ誌1996/6の№142で初採用されました。当時はまだ型名は明らかにされていませんでしたが、 1998/3の№149で「OPT119」の型番で記載されています。そのUHC-MOSがこの｢2SK1297｣だそうですが真相のほどは･･･｡その後採用するUHC-MOS(G2)は「OPT114」「OPT121」の型番になっています。 ｢2SK1298｣は、フルモールドパッケージになります。

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 2SK1297/1298 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdss 60 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id 40 A
せん頭ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id(pulse) *1 160 A
逆ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Idr 40 A
許容ﾁｬﾈﾙ損失 Pch 100 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃

*1 PW≦10μS，duty cycle≦1％


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SK1297/1298 単位
最小 標準 最大
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)dss Id=10mA,Vgs=0v 60 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)gss Ig=±100μA,Vds=0 ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ遮断電流 Idss Vds=50V,Vgs=0 250 μA
ｹﾞｰﾄ遮断電流 Igss Vgs=±16V,Vds=0 ±10 μA
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ遮断電圧 Vgs(off) Vds=10V,Id=1mA 1.0 2.0 V
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ
(ﾊﾟﾙｽ測定)		 |Yfs| Id=20A,Vds=10V 22 35 S
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽｵﾝ抵抗
(ﾊﾟﾙｽ測定)		 Rds(on) Id=20A,Vgs=10V 0.015 0.018 Ω
Id=20A,Vgs=4V 0.02 0.025 Ω
入力容量 Ciss Vds=10V,Vgs=0V
f=1MHz		 3600 pF
出力容量 Coss 1850 pF
逆伝達容量 Crss 450 pF
ﾀｰﾝ･ｵﾝ遅延時間 td(on) Id=20A,Vgs=10V
Rl=1.5Ω		 30 ns
上昇時間 tr 170 ns
ﾀｰﾝ･ｵﾌ遅延時間 td(off) 700 ns
下降時間 tf 350 ns
ﾀﾞｲｵｰﾄﾞ順伝達 VDF If=40A,Vgs=0 1.2 V
逆回復時間 trr If=40A,Vgs=0
di/dt=50A/μs		 155 ns


日立　ＭＯＳＦＥＴ　「２ＳＪ５５４／２ＳＫ２９５５」

日立のUHC-MOS

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 2SJ554/2SK2955 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdss -60/60 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id -45/45 A
せん頭ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id(pulse) -180/180 A
逆ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Idr -45/45 A
アバランシェ電流 Iap -45/45 A
アバランシェエネルギー Ear -173/173 mJ
許容ﾁｬﾈﾙ損失 Pch(Tc=25℃) 100 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SJ554/2SK2955 単位
最小 標準 最大
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)dss Id=-10/10mA,Vgs=0
　　Vgs=10/-10v		 -60/60 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)gss Ig=±100μA,Vds=0 ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ遮断電流 Idss V,Vgs=0
　　Vgs=10/-10v		 -10/10 μA
ｹﾞｰﾄ遮断電流 Igss V,Vds=0
　　Vgs=10/-10v		 ±10 μA
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ遮断電圧 Vgs(off) Id=-1/1mA
Vds=-10/10V		 -1.0/1.5 -2.0/2.5 V
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ |Yfs| Id=-25/20A,Vds=-10/10V
ﾊﾟﾙｽ測定		 18/25 30/40 S
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽｵﾝ抵抗
(ﾊﾟﾙｽ測定)		 Rds(on) Id=-25/20A,Vgs=-10V 0.028/0.010 0.037/0.013 Ω
Id=-25/20A,Vgs=-4V 0.038/0.015 0.055/0.025 Ω
入力容量 Ciss Vds=-10/10V,Vgs=0V
f=1MHz		 2500/2200 pF
出力容量 Coss 1300/1050 pF
帰還容量 Crss 300/320 pF
ﾀｰﾝ･ｵﾝ遅延時間 td(on) Id=-25/20A,Vgs=-10/10V
Rl=1.2/1.5Ω		 25/25 ns
上昇時間 tr 160/200 ns
ﾀｰﾝ･ｵﾌ遅延時間 td(off) 350/320 ns
下降時間 tfr 240/240 ns
ﾀﾞｲｵｰﾄﾞ順伝達 Vdf If=-45/45A,Vgs=0 -1.1/0.95 V
逆回復時間 trr If=-45/45A,Vgs=0
diF/dt=50A/μs		 100/60 ns


日立　ＭＯＳＦＥＴ　「２ＳＪ２１５」

日立のUHC-MOS

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 2SJ215 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdss -60 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id -35 A
せん頭ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id(pulse) *1 -140 A
逆ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Idr -35 A
許容ﾁｬﾈﾙ損失 Pch 50 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃

*1 PW≦10μS，duty cycle≦1％


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SJ215 単位
最小 標準 最大
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)dss Id=-10mA,Vgs=0v -60 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)gss Ig=±100μA,Vds=0 ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ遮断電流 Idss Vds=-50V,Vgs=0 -250 μA
ｹﾞｰﾄ遮断電流 Igss Vgs=±16V,Vds=0 ±10 μA
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ遮断電圧 Vgs(off) Vds=10V,Id=1mA -1.0 -2.0 V
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ
(ﾊﾟﾙｽ測定)		 |Yfs| Id=-18A,Vds=10V 11 18 S
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽｵﾝ抵抗
(ﾊﾟﾙｽ測定)		 Rds(on) Id=-18A,Vgs=-10V 0.045 0.06 Ω
Id=-18A,Vgs=-4V 0.07 0.09 Ω
入力容量 Ciss Vds=-10V,Vgs=0V
f=1MHz		 2400 pF
出力容量 Coss 1300 pF
逆伝達容量 Crss 340 pF
ﾀｰﾝ･ｵﾝ遅延時間 td(on) Id=-15A,Vgs=-10V
Rl=2Ω		 20 ns
上昇時間 tr 175 ns
ﾀｰﾝ･ｵﾌ遅延時間 td(off) 460 ns
下降時間 tf 320 ns
ﾀﾞｲｵｰﾄﾞ順伝達 VDF If=-35A,Vgs=0 -1.3 V
逆回復時間 trr If=-35A,Vgs=0
diF/dt=50A/μs		 250 ns


日立　ＭＯＳＦＥＴ　「２ＳＫ２５５４」

2001/6のDCアンプシリーズ№163で登場。対称型FETパワーアンプで使用された石は、日立のMOS-FETの2SK135から始まりUHC-MOS(2SK1297)、そしてUHC-MOS(G2)と進化しさらに大電流型MOS-FETの採用となり 以降、金田式パワーアンプの重要な終段素子として定着しています。

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 定格 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdsx 60 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id 75 A
せん頭ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id(pulse) *1 300 A
逆ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Idr 75 A
ｱﾊﾞﾗﾝｼｪ電流 Iap 50 A
ｱﾊﾞﾗﾝｼｪｴﾈﾙｷﾞｰ Iar 214 mJ
許容ﾁｬﾈﾙ損失 Pch 150 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃

*1 PW≦10μS，duty cycle≦1％


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SK2554 単位
最小 標準 最大
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)dss Id=10mA,Vgs=0v 60 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ破壊電圧 V(br)gss Ig=±100μA,Vds=0 ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ遮断電流 Idss Vds=60V,Vgs=0 10 μA
ｹﾞｰﾄ遮断電流 Igss Vgs=±16V,Vds=0 ±10 μA
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ遮断電圧 Vgs(off) Vds=10V,Id=1mA 1.0 2.0 V
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ
(ﾊﾟﾙｽ測定)		 |Yfs| Id=40A,Vds=10V 50 80 S
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽｵﾝ抵抗
(ﾊﾟﾙｽ測定)		 Rds(on) Id=40A,Vgs=10V 4.5 6 Ω
Id=40A,Vgs=4V 5.8 10 mΩ
入力容量 Ciss Vds=10V,Vgs=0V
f=1MHz		 7700 pF
出力容量 Coss 4100 pF
逆伝達容量 Crss 760 pF
ﾀｰﾝ･ｵﾝ遅延時間 td(on) Id=40A,Vgs=10V
Rl=0.75Ω		 60 ns
上昇時間 tr 420 ns
ﾀｰﾝ･ｵﾌ遅延時間 td(off) 1200 ns
下降時間 tfr 900 ns
ﾀﾞｲｵｰﾄﾞ順伝達 VDF If=75A,Vgs=0 0.95 V
逆回復時間 trr If=75A,Vgs=0
diF/dt=50A/μs		 105 ns


東芝　ＵＨＣ－ＭＯＳＦＥＴ　「２ＳＫ８５１」

MJ誌1996/6のDCアンプシリーズ№142で、初めてUHC-MOS採用のパワーアンプが発表されていますが、 その次号№143で採用されたのが「2SK851」。その後の採用は・・・

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 定格 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdss 200 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id 30 A
許容損失 Pd 150 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
ｹﾞｰﾄ漏れ電流 Igss Vds=0v,Vgs=±20v ±100 nA
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間遮断電圧 Vgs(off) Vds=10V,Id=1mA 2 4 V
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽｵﾝ抵抗 Rds(on) Id=16A,Vgs=10V 85 mΩ
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ |Yfs| Id=16A,Vds=10V 8 12 S
入力容量 Ciss Vgs=0/0V,Vds=10V
f=1MHz		 2100 pF
出力容量 Coss 1400 pF
帰還容量 Crss 600 pF


東芝　ＵＨＣ－ＭＯＳＦＥＴ　「２ＳＫ２９６７」

「ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧」が250Vと高くON抵抗も48mΩと低いために、MJ誌2007/7のDCアンプシリーズ№193 WE421A・6C19Pパワーアンプで、保護回路の電源遮断制御用に採用。

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 定格 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdss 250 V
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｹﾞｰﾄ間電圧(Rgs=20kΩ) Vdgr 250 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流(DC) Id 30 A
許容損失 Pd 150 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
ｹﾞｰﾄ漏れ電流 Igss Vds=0v,Vgs=±16v ±10 μA
ﾄﾞﾚｲﾝ遮断電流 Idss Vds=250V,Vgs=0 100 μA
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間降伏電圧 V(br)dss Id=10mA,Vgs=0v 250 V
ｹﾞｰﾄしきい電圧 Vth Vds=10V,Id=1mA 1.5 3.5 V
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽｵﾝ抵抗 Rds(on) Id=15A,Vgs=10V 48 68 mΩ
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ |Yfs| Id=15A,Vds=10V 15 30 S
入力容量 Ciss Vgs=0/0V,Vds=10V
f=1MHz		 5400 pF
帰還容量 Crss 580 pF
出力容量 Coss 1900 pF


東芝　Ｐｏｗｅｒ－ＭＯＳＦＥＴ　「２ＳＪ１１５／２ＳＫ４０５」

サンスイのアンプで長年採用されていたことで有名です。

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 2SJ115/2SK405 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdss -160/160 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id -8/8 A
許容損失 Pd 100 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SJ115/2SK405 単位
最小 標準 最大
ｹﾞｰﾄ漏れ電流 Igss Vds=0v,Vgs=±20v ±1.0 μA
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間降伏電圧 V(br)dss Id=-5/5mA,Vgs=0v -160/160 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間遮断電圧 Vgs(off) Vds=-10/10V,Id=-0.1/0.1A -0.8/0.8 -2.8/2.8/ V
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ飽和電圧 Vds(on) Id=-5/5A,Vgd=-10/10v -3.5/2.5 -7.0/7.0 V
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ |Yfs| Id=-2/2A,Vds=-10/10V 1.0 2.0 S
入力容量 Ciss Vgs=0/0V,Vds=-10/10V
f=1MHz		 800/430 pF
出力容量 Coss 500/260 pF
帰還容量 Crss 110/80 pF


東芝　Ｐｏｗｅｒ－ＭＯＳＦＥＴ　「２ＳＪ２００／２ＳＫ１５２９」

最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 2SJ200/2SK1529 単位
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間電圧 Vdss -180/180 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間電圧 Vgss ±20 V
ﾄﾞﾚｲﾝ電流 Id -10/10 A
許容損失 Pd 120 W
ﾁｬﾈﾙ温度 Tch 150 ℃
保存温度 Tstg -55～+150 ℃


電気的特性（Ta=25℃）
項目 記号 測定条件 2SJ200/2SK1529 単位
最小 標準 最大
ｹﾞｰﾄ漏れ電流 Igss Vds=0v,Vgs=±20v ±0.5 μA
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ間降伏電圧 V(br)dss Id=-10/10mA,Vgs=0v -180/180 V
ｹﾞｰﾄ･ｿｰｽ間遮断電圧 Vgs(off) Vds=-10/10V,Id=-0.1/0.1A -0.8/0.8 -2.8/2.8 V
ﾄﾞﾚｲﾝ･ｿｰｽ飽和電圧 Vds(on) Id=-6/6A,Vgd=-10/10v -1.5/2.5 -5.0/5.0 V
順伝達ｱﾄﾞﾐﾀﾝｽ |Yfs| Id=-3/3A,Vds=-10/10V 4.0 S
入力容量 Ciss Vgs=0/0V,Vds=-30/30V
f=1MHz		 1300/700 pF
出力容量 Coss 350/150 pF
帰還容量 Crss 200/90 pF


最終更新日 2009年01月12日

ホームへ戻る ＤＣアンプパーツへ戻る このページのトップへ戻る